中國(guó)內(nèi)存超車有望？傳武漢新芯將合體紫光，洽美光助攻
中國(guó)擴(kuò)張半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，被視為重點(diǎn)項(xiàng)目的內(nèi)存可能再出現(xiàn)新局，統(tǒng)籌中國(guó)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團(tuán)攜手合作，且現(xiàn)在不只獲飛索半導(dǎo)體（Spansion）在3D NAND Flash的技術(shù)授權(quán)，還可能得到大腕美光（Micron）的協(xié)助。
雙方各有強(qiáng)項(xiàng)，整合出內(nèi)存中國(guó)國(guó)家隊(duì)
科技新報(bào)取得消息，中國(guó)武漢新芯將與紫光集團(tuán)將聯(lián)手，共同發(fā)展內(nèi)存。武漢新芯已經(jīng)有兩萬(wàn)片的12寸廠規(guī)模，加上新廠已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)工，適合作為生產(chǎn)的基地，節(jié)省紫光從頭開(kāi)始的時(shí)間，也間接克服紫光也沒(méi)有半導(dǎo)體制造人才團(tuán)隊(duì)的問(wèn)題。紫光集團(tuán)旗下的紫光國(guó)芯，去年八月取得中國(guó)唯一的DRAMIC設(shè)計(jì)公司西安華芯控股權(quán)。加上紫光集團(tuán)的資金募集、活動(dòng)力驚人，也有華亞科前董事長(zhǎng)高啟全助力。紫光與武漢新芯的整合，不僅在生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)、既有半導(dǎo)體廠基礎(chǔ)、IC設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)、民間資金、國(guó)家基金都產(chǎn)生更大的實(shí)力。也加大了跟技術(shù)授權(quán)來(lái)源美光的談判優(yōu)勢(shì)。
▲NandFlash市占率圖（Source：DRAMeXchange）
將華亞科模式套用在NANDFlash上
更進(jìn)一步地，傳聞中國(guó)方已與內(nèi)存大廠美光（Micron）洽談技術(shù)合作事宜，武漢新芯與紫光獲有機(jī)會(huì)取得美光在NANDFlash的技術(shù)授權(quán)。由中國(guó)提供資金建廠，美光授權(quán)技術(shù)，以華亞科模式進(jìn)行生產(chǎn)NANDFlash！所謂的華亞科模式，就是美光提供生產(chǎn)技術(shù)，合作方股東出大量資金建廠。美光可以在不出錢的情況下，取得技術(shù)授權(quán)金與分享產(chǎn)能的回饋。
DRAM還是Flash？
以美光而言，選擇技術(shù)授權(quán)NandFlash而非DRAM會(huì)是合理的方案。
一、美光也會(huì)想維持DRAM寡占格局，以及市場(chǎng)無(wú)需大量新產(chǎn)能DRAM長(zhǎng)期以來(lái)供過(guò)于求的市況近期終于轉(zhuǎn)佳，各家大廠在寡占格局下，試圖維持平衡不貿(mào)然擴(kuò)產(chǎn)，為免重啟流血價(jià)格戰(zhàn)。
二、NANDFlash需求仍快速增長(zhǎng)，有擴(kuò)產(chǎn)需要在SSD需求高漲下，NAND Flash、尤其是下一世代主流3DNAND Flash尚處快速長(zhǎng)步階段。市場(chǎng)未來(lái)仍然需要新產(chǎn)能與更多的產(chǎn)出。包含三星、東芝、SK海力士都在擴(kuò)充3D NAND Flash的產(chǎn)量。透過(guò)技術(shù)授權(quán)，除了能取得一定的授權(quán)金，美光也能取得更多的產(chǎn)能維持自家的市占率與研發(fā)基礎(chǔ)。
▲SSD在PC滲透圖（Source：Nomura Securities）
三、美光技術(shù)、資金實(shí)力皆須藉助外力美光的NAND Flash、DRAM技術(shù)、產(chǎn)能，事實(shí)上現(xiàn)在在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)都屬于落后班。雖然以最近他的約當(dāng)現(xiàn)金來(lái)看有46億美金之多，但是后面一年的營(yíng)運(yùn)預(yù)估約當(dāng)現(xiàn)金會(huì)降到30億美金的水位。距離他的歷史低位不遠(yuǎn)，也沒(méi)有額外的能力擴(kuò)廠。
▲NANDFlash廠營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率（Source：Nomura）
尤其在三星、Toshiba、SK Hynix都在積極轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，也在擴(kuò)產(chǎn)時(shí)。美光的落后狀態(tài)對(duì)于未來(lái)相當(dāng)不利。這時(shí)有愿意提供無(wú)風(fēng)險(xiǎn)華亞科模式的Flash廠，就猶如天上掉下來(lái)的禮物了。武漢新芯為中國(guó)政府選定統(tǒng)籌國(guó)家整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根據(jù)地，日前位于武漢東湖高新區(qū)的廠區(qū)正式動(dòng)土，其所規(guī)劃產(chǎn)能到2030年高達(dá)100萬(wàn)片，一開(kāi)始就鎖定3D NAND Flash，目標(biāo)追上與內(nèi)存大廠之間的距離，然目前武漢新芯僅取得飛索半導(dǎo)體（Spansion）的技術(shù)授權(quán)，據(jù)悉，Spansion實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品堆疊尚在8層、10層左右，估計(jì)2017年量產(chǎn)32層堆疊產(chǎn)品，然目前堆疊技術(shù)已來(lái)到48層，以目前技術(shù)要能追上各家大廠實(shí)有一定難度。倘若獲美光的技術(shù)支持，或有一線轉(zhuǎn)機(jī)。
高層人士將異動(dòng)
由于兩個(gè)集團(tuán)在NANDFlash上的合作，資金龐大、團(tuán)隊(duì)人數(shù)高，并且有高難度的涉外談判。因此領(lǐng)導(dǎo)體系，必需有明確的指揮。因此也傳出紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)、大基金總經(jīng)理丁文武可能扮演重要角色，而新芯董事長(zhǎng)楊士寧等可能有異動(dòng)。不過(guò)因?yàn)楸澈蟮恼蜗到y(tǒng)復(fù)雜，仍有許多變數(shù)。
對(duì)臺(tái)灣、內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的影響
紫光加武漢新芯的內(nèi)存國(guó)家隊(duì)在與美光的談判中，NANDFlash會(huì)是首先的要角。至于后續(xù)的DRAM，或是入股美光的可能性也都觸及。不過(guò)由于美國(guó)也正在進(jìn)入史上最敏感的總統(tǒng)大選，未來(lái)政治走向如何？產(chǎn)業(yè)、美光也都戰(zhàn)戰(zhàn)兢兢的在觀望。存在的變數(shù)甚多。如果第一步僅是NAND Flash對(duì)中國(guó)的技術(shù)授權(quán)、生產(chǎn)，那么對(duì)華亞科、南科的沖擊將不大。不過(guò)由于后續(xù)在晶圓廠量產(chǎn)時(shí)，臺(tái)灣有經(jīng)驗(yàn)的工程師能提供的幫助甚大。因?yàn)楦叨税雽?dǎo)體人才的流失問(wèn)題值得產(chǎn)業(yè)以及政府重視。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
