東芝沖 NAND Flash 產(chǎn)量，拼增至 3 倍
Thomson Reuters、時事通信社報導(dǎo)，東芝（Toshiba）統(tǒng)籌內(nèi)存事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND型快閃內(nèi)存（Flash Memory）產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(zhǔn)（以容量換算）。
關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3DFlash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準(zhǔn)。
東芝6日大跌4.15%、收277日元；今年迄今東芝股價大漲10.80%，表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于日經(jīng)225指數(shù)的崩跌19.20%。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。
日經(jīng)、韓國先驅(qū)報（KoreaHerald）7月6日報導(dǎo)，未具名消息指稱，東芝打算與Western Digital在未來三年攜手，對3DNAND Flash投資1.5萬億日元（相當(dāng)于146億美元）。根據(jù)雙方協(xié)議，東芝、WesternDigital會在日本三重縣四日市的現(xiàn)有合資廠房新增芯片制造設(shè)備，大多數(shù)的資金會用來安裝3DNAND的制造設(shè)備。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
