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eMMC簡(jiǎn)史

作者: 來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2020-06-02  瀏覽:2

關(guān)鍵字: eMMC 說(shuō)起eMMC的展開(kāi)進(jìn)程,首先要說(shuō)說(shuō)flash的發(fā)展歷史 Flash分為兩種規(guī)格:NOR Flash和NAND Flash,兩者均為非易失性閃存模塊。 1988年,Intel初次發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改動(dòng)了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。NOR類似于DRAM, 以存儲(chǔ)程序代碼為主,可以讓微處置器直接讀取。由于讀取速度較快,但晶片容量較低,所以多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中,如手機(jī)。 1989年,東芝公司發(fā)表NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的本錢(qián),更高的性能,并且像磁盤(pán)一樣可以經(jīng)過(guò)接口輕松升級(jí)。由于NAND flash的晶片容量相關(guān)于NOR大,更像硬盤(pán),寫(xiě)入與肅清資料的速度遠(yuǎn)快于NOR,所以當(dāng)時(shí)多應(yīng)用在小型機(jī)以儲(chǔ)存資料為主。目前已普遍應(yīng)用在各種存儲(chǔ)設(shè)備上, 可存儲(chǔ)代碼和資料。 NAND Flash的存儲(chǔ)單元發(fā)展:從 SLC, MLC到TLC。 SLC=Single-Level Cell, 即1bit/cell,讀寫(xiě)速度快,壽命長(zhǎng),價(jià)錢(qián)是MLC三倍以上,約10萬(wàn)次讀寫(xiě)壽命。 MLC=Multi-Level Cell, 即2bit/cell ,速度普通,壽命普通,價(jià)錢(qián)普通,月3000-10000次讀寫(xiě)壽命。 TLC=Triple-Level Cell, 即3bit/cell,速度慢,壽命短,價(jià)錢(qián)低價(jià),約500次讀寫(xiě)壽命,技術(shù)在逐漸生長(zhǎng)中。 摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來(lái)的。其內(nèi)容為:當(dāng)價(jià)錢(qián)不變時(shí),集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。換言之,每一美圓所能買(mǎi)到的電腦性能,將每隔18個(gè)月翻兩倍以上。而NAND Flash行業(yè)的摩爾定律周期則只需12個(gè)月。 NAND Flash的存儲(chǔ)單元從最初的SLC( Single Layer Cell), 到2003年開(kāi)端興起MLC (Multi-Layer Cell), 展開(kāi)至今,SLC曾經(jīng)淡出主流市場(chǎng),主流存儲(chǔ)單元正在從MLC向TLC(Triple Layer Cell)邁進(jìn)。納米制程工藝和存儲(chǔ)單元的展開(kāi),使得同樣大小的芯片有更高密度和更多的存儲(chǔ)單元,F(xiàn)lash得以在容量疾速增加的同時(shí),還大幅降低了單位存儲(chǔ)容量的本錢(qián)。 但其弊端也隨意顯現(xiàn),從原來(lái)的1bit/cell展開(kāi)到后來(lái)3bit/cell, 計(jì)算更為復(fù)雜,出錯(cuò)率難免更高,讀寫(xiě)次數(shù)和壽命也會(huì)更短。在這種情況下現(xiàn)有MLC 和 TLC Flash 都需求搭配一顆高性能的控制芯片來(lái)提供EDC和ECC、平均擦寫(xiě)等Flash管理。 近年平板電腦和智能手機(jī)等智能設(shè)備在全球的迅速崛起,嵌入式存儲(chǔ)eMMC即營(yíng)運(yùn)而生 iphone,iPAD帶動(dòng)了智能手機(jī)戰(zhàn)爭(zhēng)板電腦行業(yè)的迅猛展開(kāi),引發(fā)了電子產(chǎn)品更新?lián)Q代,對(duì)存儲(chǔ)硬件提出了更高的懇求。多媒體播放、高清攝像,GPS,各色各樣的應(yīng)用以及外觀輕薄小巧的展開(kāi)趨向,懇求存儲(chǔ)硬件具有高容量、高穩(wěn)定性和高讀寫(xiě)速度的同時(shí),需求存儲(chǔ)芯片在主板中占有更小的空間。但是NAND Flash 隨著納米制程和存儲(chǔ)技術(shù)的主流趨向展開(kāi),性能卻在不時(shí)降落?刹翆(xiě)壽命短,出錯(cuò)概率高,讀寫(xiě)速度慢,穩(wěn)定性差。嵌入式存儲(chǔ)芯片eMMC就可以補(bǔ)償這個(gè)市場(chǎng)需求和NAND Flash展開(kāi)的缺口。 eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口, 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中。針對(duì)Flash的特性,產(chǎn)品內(nèi)部曾經(jīng)包含了Flash管理技術(shù),包括錯(cuò)誤探測(cè)和糾正,flash平均擦寫(xiě),壞塊管理,掉電維護(hù)等技術(shù)。用戶無(wú)需擔(dān)憂產(chǎn)品內(nèi)部flash晶圓制程和工藝的變化。同時(shí)eMMC單顆芯片為主板內(nèi)部?jī)省更多的空間。 目前市場(chǎng)上流通的eMMC產(chǎn)品均出自國(guó)外知名半導(dǎo)體廠商,主要包括:SANDISK、samsung、hynix、micron、kingston等。深圳市兆豐源科技有限公司專注于以上品牌的eMMC銷售,公司常備大量原裝現(xiàn)貨,歡迎新老客戶前來(lái)洽談咨詢。 eMMC的未來(lái) eMMC規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)逐漸從eMMC4.3世代展開(kāi)到eMMC4.4世代,eMMC4.5行將問(wèn)世。就目前JEDEC的規(guī)劃方向來(lái)看,eMMC下一個(gè)世代將會(huì)由UFS(Universal Flash Storage)規(guī)格接棒。我們將UFS視為一種銜接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口標(biāo)準(zhǔn),預(yù)期未來(lái)初期將在智能型手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等新興智能型移動(dòng)裝置上,成為嵌入式儲(chǔ)存媒體的主要的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)之一。UFS將提供極高的速度,以即時(shí)高速存儲(chǔ)大型多媒體文件,同時(shí)在消費(fèi)電子設(shè)備上運(yùn)用時(shí)降低功耗。有了新的標(biāo)準(zhǔn),估量用戶存取90分鐘電影的時(shí)間會(huì)從目前的3分鐘降低到幾秒鐘。這項(xiàng)新的標(biāo)準(zhǔn)將支持手機(jī),數(shù)碼相機(jī)等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品,并將做為便當(dāng)通用的開(kāi)發(fā)標(biāo)準(zhǔn)存在。
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