英飛凌igbt模塊型號(hào)含義 英飛凌igbt模塊命名規(guī)則

英飛凌（Infineon）作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要巨頭，其IGBT模塊以其高性能、高可靠性和廣泛應(yīng)用而聞名于世。穎特新將深入解析英飛凌IGBT模塊的型號(hào)含義，揭示各個(gè)型號(hào)背后所代表的功能和特點(diǎn)。

英飛凌igbt模塊型號(hào)含義

型號(hào)結(jié)構(gòu)： 英飛凌IGBT模塊的型號(hào)通常由一系列字母和數(shù)字組成。下面以一個(gè)示例型號(hào)"FF600R12KT4"為例進(jìn)行解析：

FF：產(chǎn)品系列標(biāo)識(shí)，代表Fast IGBT（快速IGBT）系列。

600：額定電流（Current Rating）的第一個(gè)數(shù)字，表示模塊的額定電流容量為600A。

R：內(nèi)部結(jié)構(gòu)標(biāo)識(shí)，代表Resistor (電阻)。它指示模塊內(nèi)部是否集成了額外的電阻來提供特定的保護(hù)功能。

12：電壓等級(jí)（Voltage Rating）的第一個(gè)數(shù)字，表示模塊的額定電壓等級(jí)為1200V。

KT：功能標(biāo)識(shí)，代表Key Technology（關(guān)鍵技術(shù)）。這個(gè)標(biāo)識(shí)可能指示模塊采用了特定的技術(shù)或具備了特殊的功能。

英飛凌igbt模塊命名規(guī)則

IGBT單管以時(shí)間為界，有兩套體系

對(duì)于2013年3月份之前release的器件，命名規(guī)則如下圖。主要傳達(dá)的信息有：芯片種類（是否有續(xù)流二極管）+封裝形式+電流等級(jí)+電壓等級(jí)+芯片類型+是否車規(guī)級(jí)芯片:

單管塑封殼上面都會(huì)有激光打標(biāo)，這可以說是料號(hào)的“昵稱“——用更少的字母，表達(dá)了豐富的特性。例如對(duì)于IHW20N120R3這顆器件，它的封裝上的標(biāo)志是H20R1203，各數(shù)位含義和料號(hào)的命名規(guī)則相同，如下圖：

對(duì)于2013年3月之后release的器件，它的命名規(guī)則稍有不同。

1.首先，封裝形式更加豐富了，從6種拓展到了11種，新增封裝類型包括：TO247-4pin，TO247plus -3pin/4pin，高級(jí)絕緣的TO247 3pin，以及使用燒結(jié)技術(shù)的TO263 3pin。由于新型封裝形式層出不窮，表示封裝的第3數(shù)位還會(huì)繼續(xù)拓展，不斷更新。

2.第7數(shù)位表示了反并聯(lián)二極管的類型（EmCon, rapid1, rapid2），以及其電流等級(jí)是否和IGBT相同，如相同，則標(biāo)為full rated。第8數(shù)位代表了IGBT類型，可以看到這套命名規(guī)則里的IGBT芯片類型，可比上一代多多啦，從TRENCHSTOP™ 2到最新的TRENCHSTOP™ 7應(yīng)有盡有。

3.在高級(jí)絕緣TO247 3pin產(chǎn)品最后一位，可能還會(huì)有一個(gè)字母E，這個(gè)字母E代表最具性價(jià)比的高級(jí)絕緣方案。如果缺省，則默認(rèn)為性能最優(yōu)的高級(jí)絕緣方案。

激光打標(biāo)規(guī)則和上一代也有很大變化，值得注意的是兩點(diǎn)：

 2.激光打標(biāo)第四數(shù)位上給出了二極管信息（是否是全電流二極管），其規(guī)則同上圖中料號(hào)的命名規(guī)則group 7。

英飛凌IGBT模塊通過其型號(hào)含義傳達(dá)了多樣化的功能和特點(diǎn)�？焖買GBT技術(shù)、額定電流和電壓等級(jí)、內(nèi)置電阻和關(guān)鍵技術(shù)是其中的重要指標(biāo)。了解這些型號(hào)含義，并根據(jù)不同行業(yè)的需求選擇合適的模塊，將能夠利用英飛凌IGBT模塊的高性能、高可靠性和廣泛應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)各種領(lǐng)域的電力控制和轉(zhuǎn)換需求。無論是工業(yè)自動(dòng)化、可再生能源、交通運(yùn)輸、鐵路和軌道交通，還是醫(yī)療設(shè)備，英飛凌IGBT模塊都扮演著重要角色，并持續(xù)推動(dòng)著行業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展。