MOS管的耐壓對性能參數(shù)及柵極電荷的影響分析

mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

功率比較小的單管變換器的主開關通常采用MOS管，其優(yōu)點是電壓型控制，驅動功率低，低電壓器件中MOS的導通壓降和開關速度是最佳的。

MOS管的耐壓對導通電阻的影響：MOS的耐壓水平由芯片的電阻率和厚度決定，而MOS管是多數(shù)載流子導電器件，芯片電阻率直接影響器件的導通電阻。通常MOS管的導通電阻隨耐壓的2.4~2.6次方增加。如1000V耐壓是30V耐壓的33.3倍，而同樣大的芯片的導通電阻將變成33.3^(2.4~2.6)，大約為6400倍！如果還想保持導通電阻的基本不變就需要更大的管芯面積，這樣不僅增加了封裝尺寸，而且價格也將明顯上升。

開關變換器中MOS管的開關速度實際上是受驅動電路的驅動能力影響，很少會因驅動電路的驅動能力過剩而MOS管的速度或自身特性限制了開關速度。MOS管的電荷量是影響開關速度的最主要因素。例如100nC的柵極電荷用100mA的電流將其充滿或放盡，需要的時間為1us，而30nC的電荷則僅需要300ns的時間。

或者是在相同的驅動時間，則驅動電流可以下降為30mA。實際上決定MOS管的開關速度的因素是柵-漏電荷（Qgd），也就是MOS管從導通轉換到關斷或從關斷轉換到導通過程中越過“放大區(qū)”所需要的電荷“米勒電荷”。