怎么做到mos管電子開關實現(xiàn)多點控制

mos管開關電路

MOS管開關電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分為兩種。

P溝道MOS管開關電路

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導通，而非相對于地的電壓。但是因為PMOS導通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。

N溝道m(xù)os管開關電路

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓大于參數(shù)手冊中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當NMOS作為高端驅動時候，當漏極D與源極S導通時，漏極D與源極S電勢相等，那么柵極G必須高于源極S與漏極D電壓，漏極D與源極S才能繼續(xù)導通。

mos管電子開關實現(xiàn)多點控制詳解

mos管電子開關實現(xiàn)多點控制電路是由約翰·倫德格倫改編自“撥動開關去抖的按鈕”。需要從一個位置接通和從另一個位置關掉負載，這個電路是有用的。任何數(shù)量的瞬間（N / O）開關或按鈕可并行連接。

在原理圖上的左側的組合（10K，10uF和二極管）保證了電路接通電源時保持負載斷開狀態(tài)。如果初始上電狀態(tài)不是一個問題，這些組件可以被省略。

當開關按下時，1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點，NPN晶體管截止，mos管導通開啟負載。釋放按鈕后，1uF電容通過1M電阻充電。第二次按下開關，1uF電容充電后的電壓被加載到NPN晶體管基極，晶體管導通，mos管關閉，負載斷電。

當開關按下時，1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點，NPN晶體管截止，mos管導通開啟負載。釋放按鈕后，1uF電容通過1M電阻充電。第二次按下開關，1uF電容充電后的電壓被加載到NPN晶體管基極，晶體管導通，mos管關閉，負載斷電。

在晶體管的基極加入0.1uF電容，攔截噪聲可能造成的誤觸發(fā)，如果開關位于遠離電路。使用12伏，25瓦特汽車燈，和IRFZ44的電路進行了測試。其他的MOSFET大概可以使用。