7n80場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 封裝詳情 技術(shù)支持 免費送樣

7n80場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 封裝詳情 技術(shù)支持 免費送樣

7n80場效應(yīng)管參數(shù)-型號概述

7n80場效應(yīng)管參數(shù)型號概述，此功率MOSFET生產(chǎn)是使用SL先進的平面條紋DMOS技術(shù)，這個先進的技術(shù)是特別定制的，以減少通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，在雪崩和轉(zhuǎn)換方式下能承受高能脈沖器件，它非常適合高效率開關(guān)模式電源，有源功率因數(shù)校正基于半橋拓撲。

7n80場效應(yīng)管參數(shù)-型號特性

RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V

低柵電荷(典型27nC)

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv/dt的能力

7n80場效應(yīng)管參數(shù)-型號封裝圖

7n80場效應(yīng)管參數(shù)詳情

7n80場效應(yīng)管參數(shù)-規(guī)格書

查看規(guī)格書，請點擊下圖