7n80場效應管參數規(guī)格書 封裝詳情 技術支持 免費送樣

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7n80場效應管參數-型號概述

7n80場效應管參數型號概述，此功率MOSFET生產是使用SL先進的平面條紋DMOS技術，這個先進的技術是特別定制的，以減少通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關性能，在雪崩和轉換方式下能承受高能脈沖器件，它非常適合高效率開關模式電源，有源功率因數校正基于半橋拓撲。

7n80場效應管參數-型號特性

RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V

低柵電荷(典型27nC)

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv/dt的能力

7n80場效應管參數-型號封裝圖

7n80場效應管參數詳情

7n80場效應管參數-規(guī)格書

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