鉭電容器的陽極選擇
鉭電容器的陽極選擇
開關式電源，微處理器和數(shù)字電路應用的一個共同趨勢是降低高頻工作時的噪聲。為了做到這一點，元器件必須具備低ESR（電阻率）、高電容和高可靠性。
鉭電容器陽極的總體表面積，特別是其表面積與體積比，是確定其ESR值的關鍵參數(shù)之一，總表面積越大，ESR值越大。使用多陽極是大幅降低鉭電容器ESR值的其中一種方法，其做法是在一個電容體中使用多個相同的電極材料并排。
傳統(tǒng)的做法
在高壽命和高可靠性應用中，二氧化錳電板極常規(guī)鉭電容器仍然是一個普遍的選擇。二氧化錳技術能提供極好的場性能和環(huán)境穩(wěn)定性以及在很寬的電壓范圍如2.5～50V內(nèi)提供高電阻率和熱阻率，器件設計的運行溫度在125℃以上。然而，與聚合物鉭電容器相比，二氧化錳電極系統(tǒng)較高的ESR是一個缺點。
陽極選擇
單一陽極技術成為標準通用型選擇是由于其出色的性價比。多陽極設計可提供更低的ESR值，但其缺點是生產(chǎn)成本要高于單陽極解決方案。
使用標準的芯片集成工藝的槽式陽極設計是低ESR與低成本折中的一種結果。因此，槽式設計通常用于價格敏感同時要求低ESR的設計，而多陽極技術適合用于既要求低ESR更要求高可靠性的應用中，如電信基礎設施、網(wǎng)絡、服務器和軍事/航空航天等應用。
除了上述差異，多陽極的概念有另兩處優(yōu)勢。
(1)多陽極設計具有更好的散熱性能，這意味著多陽極電容可以承載更高的持續(xù)電流；同理，多陽極電容對抗電流浪涌危害的能力也更強。
(2)相較于單一的陽極，多陽極電容的單位容積效率較低，這導致了一種假設，認為多陽極不能達到與單一陽極一樣的CV（定電壓因素）。事實上，薄的陽極實現(xiàn)起來更容易，并且更易被第二個二氧化錳電極系統(tǒng)穿透，使更高的CV得以利用，因此，多陽極電容器能達到同樣甚至更高的CV水平。
常見多陽極類型
當今市場上常用的鉭多陽極通常采用縱向排列3～5個陽極于一個電容體內(nèi)的方法實現(xiàn)，如圖1所示。這實際是從制造的角度來看的，如果從ESR的角度，此解決辦法則不如橫向布局，橫向布局中更薄的平板陽極有望進一步減小ESR。
圖1多陽極裝置在一個電容器體中使用兩個或兩個以上的陽極
新的多陽極裝置多陽極設計的費用隨其陽極個數(shù)增長而成倍增長。目前大多數(shù)設計中使用的三陽極設計已接近成本與ESR的最佳優(yōu)化比。
縱向設計的結構中，一個陽極通過電極銀膠環(huán)氧樹脂連接到第二個，再到另一個電極引線框。同樣的做法被使用于標準的單陽極電容中，因此其制造技術與舊有的類似，無須為多陽極設計的新技術環(huán)節(jié)追加很多額外投資。
另一方面，橫向設計需要為陽極之間的連接產(chǎn)生新的解決方法，這直接導致了代價高昂的技術修改。因此，迄今為止這種設計并沒有被用于單一多陽極電容的批量生產(chǎn)。橫向的設計更經(jīng)常使用于一些特殊應用中，方式是通過焊接或跳汰系統(tǒng)，將兩個或兩個以上完整的電容器疊加到陣列或模塊中。
橫向和縱向結構兩者ESR性能之間的差異如圖2所示。這個例子是基于對D類電容器的理論計算，圖2表明，兩陽極橫向結構與三陽極系統(tǒng)的縱向結構的ESR值相似。然而，相對而言橫向結構在ESR上性價比優(yōu)勢更顯著。
圖2橫向和縱向結構性能表現(xiàn)相似，成本成為決定因素
相比橫向結構，縱向設計在縮減高度上受限制更大，目前的電容器高度一般在3.5～4.5mm。今天，這一因素更顯重要，甚至在有如電信基礎設施、軍事等應用中，電子產(chǎn)品的小型化也正成為一個考驗，這在過去是不曾有的。
利用兩個陽極橫向“鏡像”結構，研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種新型的多陽極結構。鏡像結構使用改良的引線框形狀，引線框定位于兩陽極中間。這種結構解決了電極橫向排列的連接問題，并使工藝改裝費用下降到了可接受的水平。
兩陽極鏡像設計的ESR性能稍遜色于三陽極縱向結構的效果，但它制造起來更便宜。鏡像設計的主要好處在于，它使多陽極電容器的高度減小，最低下降到3.1mm。
利用鏡像設計的其他優(yōu)點是，其對稱的布局有助于減少自感（ESL）。對稱的結構對電感回路作了部分補償，有利于將ESL降低至采用經(jīng)典引線框設計的方案之下。
一個D類單陽極設計的ESL值為2.4nH，典型值為2.1nH左右。鏡像設計的ESL值約1nH為常規(guī)設計的一半。這會將鏡像多陽極的共振頻率升至更高值，如圖3所示。
圖3鏡像設計的性能
（a）顯示出其電容隨頻率下降值低于單陽極解決方案，并且其（b）ESR值也是如此
鏡像結構如果使用更薄的陽極，電容將隨頻率下降至更低。鏡像設計的共振頻率改變，其原因是目前一般的DC/DC轉換器其開關頻率的工作范圍（250～500kH）會因降低ESL而顯著升高。
鏡像設計的另一個好處是改善了其散熱性能如圖4所示，紋波電流在陽極產(chǎn)生的熱量通過PCB板上的引線和鉭絲得以發(fā)散冷卻。
圖4鏡像設計（a）相比單陽極器件功耗改善
因此，盡管單陽極D類電容可連續(xù)散熱只有150mW，但類似尺寸的鏡像結構電容可以處理255mW。鏡像橫向型多陽極電容器目前可達到的電容值為220～1000μF，電壓為2.5～10V，ESR值為25～35mΩ。未來的發(fā)展將進一步擴展電壓范圍至35和50V，這將使電容器在設計高度日趨重要的電信新應用中非常具吸引力。單個35～50V電容在3.1mm的最大高度內(nèi)擁有10～22μF的電容量，65～140mΩ的ESR值，這是其他任何技術都難以企及的。
編輯：admin 最后修改時間：2017-09-05
