片狀多層陶瓷電容器的絕緣阻抗值的規(guī)定和單位
獨石陶瓷電容器的絕緣電阻表示當(dāng)在電容器端子之間施加直流電壓 (無紋波) 時，在設(shè)定時間 (比如60秒) 之后施加電壓和漏電流之間的比率。當(dāng)一個電容器絕緣電阻的理論值無窮大時，因為實際電容器的絕緣電極之間的電流流量很小，實際電阻值是有限的。上述電阻值稱為"絕緣電阻"，并用兆歐[MΩ]和歐法拉[ΩF]等單位表示。
絕緣電阻值的性能
當(dāng)直流電壓直接施加在電容器后，突入電流 (也稱充電電流) 的流量如下圖1所示。隨著電容器逐漸被充電，電流呈指數(shù)降低。
電流I (t) 隨時間的增加而分為三類 (如方程 (1) 所示)，即充電電流Ic (t)、吸收電流Ia (t) 和漏電電流Ir。
I (t)=Ic (t)+Ia (t)+Ir 方程 (1)
充電電流表明電流通過一個理想的電容器。與充電電流相比，吸收電流有一個延遲過程，并且在低頻范圍內(nèi)伴隨有介電損耗、造成高介電常數(shù)電容器 (鐵電性電容器) 極性相反并在陶瓷與金屬電極界面上發(fā)生肖特基障壘。
漏電電流是在吸收電流的影響降低后，在一定階段出現(xiàn)的常數(shù)電流。
因此，下述電流值隨施加在電容器上的時間電壓量而變化。這意味著，只有在指定電壓用途下的定時測量才能確定電容器的絕緣電阻值。
絕緣電阻值
絕緣電阻值以兆歐[MΩ]或歐姆法拉[ΩF]等單位表示。
其規(guī)定值隨電容值而改變。該值用標(biāo)稱電容值和絕緣電阻的乘積 (CR的乘積) 來表示。例如: 當(dāng)絕緣電阻在10,000MΩ以上時，電容為0.047μF或更小，當(dāng)絕緣電阻為500ΩF時，其值大于0.047μF。
編輯：admin 最后修改時間：2017-09-05
