電容器的絕緣電阻
陶瓷電容器的絕緣電阻表示當(dāng)在電容器端子之間施加直流電壓(無紋波)時(shí)，在設(shè)定時(shí)間(比如60秒)之后施加電壓和漏電流之間的比率。當(dāng)一個(gè)電容器絕緣電阻的理論值無窮大時(shí)，因?yàn)閷?shí)際電容器的絕緣電極之間的電流流量很小，實(shí)際電阻值是有限的。上述電阻值稱為"絕緣電阻"，并用兆歐[MΩ]和歐法拉[ΩF]等單位表示。
絕緣電阻值的性能
當(dāng)直流電壓直接施加在電容器后，突入電流(也稱充電電流)的流量如下圖1所示。隨著電容器逐漸被充電，電流呈指數(shù)降低。
圖1
電流I (t)隨時(shí)間的增加而分為三類(如方程(1)所示)，即充電電流Ic (t)、吸收電流Ia (t)和漏電電流Ir。
I (t)=Ic (t)+Ia (t)+Ir方程(1)
充電電流表明電流通過一個(gè)理想的電容器。與充電電流相比，吸收電流有一個(gè)延遲過程，并且在低頻范圍內(nèi)伴隨有介電損耗、造成高介電常數(shù)電容器(鐵電性電容器)極性相反并在陶瓷與金屬電極界面上發(fā)生肖特基障壘。
漏電電流是在吸收電流的影響降低后，在一定階段出現(xiàn)的常數(shù)電流。
因此，下述電流值隨施加在電容器上的時(shí)間電壓量而變化。這意味著，只有在指定電壓用途下的定時(shí)測(cè)量才能確定電容器的絕緣電阻值。
絕緣電阻值
絕緣電阻值以兆歐[MΩ]或歐姆法拉[ΩF]等單位表示。
其規(guī)定值隨電容值而改變。該值用標(biāo)稱電容值和絕緣電阻的乘積(CR的乘積)來表示。例如:當(dāng)絕緣電阻在10,000MΩ以上時(shí)，電容為0.047μF或更小，當(dāng)絕緣電阻為500ΩF時(shí)，其值大于0.047μF。
絕緣電阻值的保證
性能 | 性能（1） | 性能（2） |
標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值 | 靜電容量C≦0.047μF???10000MΩ以上 | 50ΩF以上 |
測(cè)試條件 | 測(cè)量電壓???額定電壓 | 測(cè)定電壓???額定電壓 |
計(jì)算公式范例 | 性能（1）的絕緣電阻值 | 性能（2）的絕緣電阻值 |
代表容量值 | 性能（1） | 性能（2） |
1μF | 500MΩ以上 | 50MΩ以上 |
2.2μF | 227MΩ以上 | 22.7MΩ以上 |
4.7μF | 106MΩ以上 | 10.6MΩ以上 |
10μF | 50MΩ以上 | 5MΩ以上 |
22μF | - | 2.27MΩ以上 |
47μF | - | 1.06MΩ以上 |
100μF | - | 0.5MΩ以上 |
如上表所示，電容值越高，其絕緣電阻值越低。
其原因解釋如下:考慮到獨(dú)石陶瓷電容器可以看作是一個(gè)導(dǎo)體，根據(jù)施加在其上的電壓和電流，利用歐姆定律可以計(jì)算出絕緣電阻。
絕緣電阻值R可以用方程(2)表示，導(dǎo)體的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，導(dǎo)體的橫截面面積為S，電阻率為ρ。
R=ρ ?L/S方程(2)
同樣，電容量C可以用方程(3)表示，獨(dú)石陶瓷電容器兩個(gè)電極之間的距離(電介質(zhì)厚度)用L表示，內(nèi)部電極的面積用S表示，介電常數(shù)為ε。
C∝ ε ?S/L方程(3)
方程(4)由方程(2)和方程(3)得出，由方程(4)可知R與C成反比。
R∝ ρ ? ε/C方程(4)
絕緣電阻越大表明直流電壓下的漏電電流越小。一般情況下，絕緣電阻值越大，電路的精確性越高。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-09-05
