移動電話的靜噪措施
噪聲發(fā)射狀態(tài)：
當(dāng)噪聲從基帶電路部分流入RF電路部分時，將出現(xiàn)靈敏度抑制，導(dǎo)致BER (位差錯率) 惡化。移動電話基帶電路部分，一般為基帶IC，控制各種信號，如語音信號和LCD信號；鶐C是一種重大的噪聲源，因為工作速度較高，并連接許多數(shù)據(jù)線。如果此類噪聲通過數(shù)據(jù)線或電源／GND線流入RF電路部分中，就會發(fā)生靈敏度抑制，導(dǎo)致BER (位差錯率) 惡化。
移動電話的靜噪措施
為了改善BER (位差錯率) 惡化狀況，必須抑制噪聲從基帶電路部分流入RF電路部分。為此，應(yīng)在基帶電路部分與RF電路部分之間的噪聲傳導(dǎo)路徑上安裝EMI濾波器。
近來，隨著基帶電路部分的噪聲電平日益變高，對基帶電路部分進(jìn)行屏蔽也變得很重要。
下面將對上述5種情況的靜噪示例進(jìn)行詳細(xì)描述。
在LCD線上安裝EMI濾波器
由于LCD的數(shù)據(jù)總線和地址總線包含許多同時開關(guān)的線路，將產(chǎn)生瞬態(tài)大電流，流入電源／GND線。因此，必須采取措施抑制電流流入信號線。通常，片狀鐵氧體磁珠排列型BLA31系列和帶電阻的片狀EMIFIL?NFA31G系列可用于此目的。如果無法插入這些元件，則應(yīng)將微波吸收薄膜EA系列貼裝在LCD軟性電纜上，以抑制噪聲通過該軟性電纜傳導(dǎo)。
在DC電源安裝EMI濾波器
為了抑制噪聲從基帶電路部分通過DC電源線流入RF電路部分，應(yīng)在DC電源線上安裝片狀鐵氧體磁珠BLM15系列。鐵氧體磁珠與DC電源線用片狀EMIFIL?NFM21P系列的組合使用可實現(xiàn)增強(qiáng)的靜噪效果。
片狀EMIFIL?NFM21P系列是一種三引出電容器，具有比二引出電容器更好的高頻特性。當(dāng)旁路電容器由幾個具有不同常數(shù)的二引出電容器組成時，可以將它們替換為單個片狀EMIFIL?，從而在安裝空間方面提供一種優(yōu)勢。
在數(shù)據(jù)線上安裝EMI濾波器
基帶電路部分含有許多數(shù)據(jù)線。作為一個典型示例，這里將對SIMM數(shù)據(jù)線進(jìn)行描述。一個片狀鐵氧體磁珠BLM15AG601SN1安裝在SIMM數(shù)據(jù)線上，以抑制噪聲傳導(dǎo)。由于SIMM數(shù)據(jù)線工作速度相對較低，故可以采用具有大阻抗的片狀鐵氧體磁珠。但是，如果將具有大阻抗的片狀鐵氧體磁珠用于高速數(shù)據(jù)傳輸線，則會對傳輸信號的波形產(chǎn)生不利的影響，造成波形變形或失真，引起動作不良。為防止出現(xiàn)這些問題，對于高速信號線，應(yīng)采用對信號波形影響較小的信號線用鐵氧體磁珠BLM15BB/BD系列。
在接口部分安裝EMI濾波器
如果噪聲流經(jīng)接口電纜，從電纜發(fā)射的噪聲將被衍射并流入天線，造成BER惡化。為了抑制噪聲通過接口電纜傳導(dǎo)，應(yīng)在基帶IC與電纜連接器之間安裝片狀鐵氧體磁珠BLM15系列。
對于使用高通信頻率 (例如PDC1.5、DCS、PCS) 的移動電話，采用在該頻率范圍內(nèi)具有高阻抗的共模扼流線圈DLP31或DLW21系列，可實現(xiàn)更卓越的靜噪效果。
對于接口部分的噪聲抑制，需要采取抗擾度測試和防止傳輸波衍射的措施。因此，必須按照預(yù)期目的和頻帶選擇最佳
EMI濾波器。
增強(qiáng)屏蔽
通常，移動電話樹脂外殼采用導(dǎo)電鍍層屏蔽。隨著移動電話的功能越來越豐富，基帶電路部分產(chǎn)生的噪聲電平也已提
高。因此，屏蔽基帶電路部分就象屏蔽RF電路部分一樣重要。移動電話應(yīng)將外殼的接觸表面設(shè)計得盡可能大，并降低高頻阻抗。
采用金屬盒對基帶電路部分進(jìn)行局部屏蔽，或?qū)⑽⒉ㄎ毡∧べN裝在屏蔽接觸表面上，也可以增強(qiáng)屏蔽狀況。
文章來源：村田制作所官網(wǎng)
編輯：admin 最后修改時間：2017-12-13
