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東芝采用第八代工藝打造高性能低導通電阻MOSFET

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2017-12-13  瀏覽:23

東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低導通電阻MOSFET——TPN2R503NC。該產(chǎn)品采用最新的第八代工藝打造,可用于鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。其他兩款第八代產(chǎn)品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到該產(chǎn)品系列中,成為現(xiàn)有型號的換代產(chǎn)品。所有三款產(chǎn)品均有助于降低設備厚度和總體尺寸,并可提高效率。

應用

1. 鋰離子電池保護電路

2. 手機電源管理開關


主要特點

1. 由于采用了最新的第八代工藝,因此產(chǎn)品的導通電阻比現(xiàn)有的東芝產(chǎn)品要低。

2. 采用了TSON Advance封裝,可提供出色的散熱性能。

3. 高抗雪崩性能。



編輯:admin  最后修改時間:2017-12-13

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