決戰(zhàn) 7 納米先進(jìn)制程 臺(tái)積電、三星與格羅方德?tīng)?zhēng)第一
在全球晶圓代工廠(chǎng)積極搶攻7納米先進(jìn)制程，都想在7納米制程領(lǐng)域搶下龍頭寶座的情況之下，三大陣營(yíng)臺(tái)積電（TSMC）、三星、以及由IBM提供協(xié)助的格羅方德（GlobalFoundries）誰(shuí)最后終將出線(xiàn)，結(jié)果將牽動(dòng)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的生態(tài)。
外媒表示：2016年晶圓代工的主流制程是14及16納米的FinFET制程，其主要業(yè)者包含了英特爾（Intel）、臺(tái)積電及三星/格羅方德三大陣營(yíng)，而且戰(zhàn)場(chǎng)延伸到下一代10納米先進(jìn)制程，同樣的此三大陣營(yíng)都宣布將在2017年量產(chǎn)。不過(guò)，由于10納米制程主要針對(duì)低功耗移動(dòng)芯片的生產(chǎn)。因此，更先進(jìn)一代的7納米才被認(rèn)為是首次突破10納米極限的高性能先進(jìn)制程，而也是三方爭(zhēng)搶的重點(diǎn)。
目前，臺(tái)積電及三星都準(zhǔn)備在7納米先進(jìn)制程上搶先發(fā)，而在此前缺席了的格羅方德這一次決定擺回劣勢(shì)，誓言在7納米制程領(lǐng)先。不過(guò)，過(guò)往在14納米及10納米都有參與的英特爾，在7納米制程上表態(tài)很謹(jǐn)慎。因?yàn)橐c臺(tái)積電與三星競(jìng)爭(zhēng)3個(gè)世代以上的制程，使得英特爾的7納米制程至少要等到2020年才有機(jī)會(huì)量產(chǎn)。但是，相對(duì)于英特爾而言，臺(tái)積電和三星就顯得積極許多。
在三星的部分，前不久投資巨資購(gòu)入了EUV光刻機(jī)，希望在2017年開(kāi)始試產(chǎn)7納米制程，而臺(tái)積電則是透過(guò)CEO劉德音表態(tài)指出，7納米制程的SRAM良率已經(jīng)達(dá)30%到40%，將會(huì)是業(yè)界首家通過(guò)7納米制程認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。至于，過(guò)去在14納米制程時(shí)代，進(jìn)度落后三星及臺(tái)積電的格羅方德，雖放棄自行研發(fā)14納米制程技術(shù)，改轉(zhuǎn)而選擇了三星14納米的FinFET制程技術(shù)授權(quán)。不過(guò)，2014年在收購(gòu)了IBM的晶圓廠(chǎng)業(yè)務(wù)之后，格羅方德希望急起直追，在7納米制程上拔的頭籌。
據(jù)了解，格羅方德在收購(gòu)IBM的晶圓廠(chǎng)業(yè)務(wù)中獲得了大量有經(jīng)驗(yàn)的員工，這對(duì)推動(dòng)新制程研發(fā)很有幫助。而且，2015年7月份，格羅方德聯(lián)合IBM、三星及紐約州立大學(xué)已經(jīng)率先推出了7納米制程，使得格羅方德逐漸成為一股在晶圓代工業(yè)務(wù)上不可忽視的力量。日前格羅方德的CTO，高級(jí)副總經(jīng)理Gary Patton表示，他們的7納米制程進(jìn)展已經(jīng)積極的縮減了新制程的門(mén)檻距離。
Patton表示，目前格羅方德在紐約州馬爾他市的晶圓廠(chǎng)正在量產(chǎn)14納米制程，這為他們開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的工藝奠定了基礎(chǔ)。而對(duì)于7納米制程，Patton表示即便沒(méi)有EUV工藝，他們的新制程也能降低晶圓成本。按照Patton的預(yù)計(jì)，格羅方德的EUV制程預(yù)計(jì)會(huì)在2018年或2019年會(huì)少量投產(chǎn)，并且于2020年正式量產(chǎn)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-12-13
