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三星擬擴產 3D NAND閃存 外資:2017 年產能將拉高近 4 成

關鍵字:3D Nand Flash 作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-01-05  瀏覽:46

韓國經濟日報(KoreaEconomic Daily)15日報導,三星電子(SamsungElectronics Co.)打算在2017年底前擴充3D NAND型快閃內存產能,總共要斥資25兆韓元,主要擴產的是位于中國西安的廠房,預定今年稍晚會于該廠新設一條3DNAND生產線,另外還將在韓國平澤市的廠房投入資本。雖然根據(jù)韓國時報報導,三星電子已在15日稍早否認上述消息,宣稱3DNAND的投資內容尚未敲定,但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。

穎特新科技訊:J.P.摩根發(fā)布研究報告指出,三星應該會在今年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓(西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產能全開,且該公司還計劃把Line16廠的部分2DNAND產能轉換為3D。

另外,三星也將善用Line17廠在2樓的空間,于明年投產3DNAND。依據(jù)上述假設,J.P.摩根估計三星明年底的3DNAND月產能將攀升至22萬片(西安廠12萬片、Line 16廠近6萬片、Line 17廠近4萬片),等于比今年底的月產能(16萬片)擴充37.5%,并占業(yè)界總體產能的12%。

編輯:admin  最后修改時間:2019-09-04

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