���������S�¹ʼ������֙C(j��)�S�_Ҏ(gu��)����NAND �r(ji��)�_ 22%
�ս�(j��ng)��20��?q��ng)?b��o)��(d��o)�����Ї�(gu��)�����֙C(j��)�S�̼�����(qi��ng)���a(ch��n)Ʒ���ܣ�����(d��ng)��(n��i)�����������������������������S6����׃늏S��ը��һ��ͣ��������(d��ng)ʹ���������֙C(j��)��ӛ������NAND�Ϳ��W��(n��i)�棨Flash Memory�����׃r(ji��)���D(zhu��n)څ�ߓP(y��ng)��ָ��(bi��o)�Ԯa(ch��n)Ʒ6�·����l(f��)�r(ji��)��1��(g��)�����g��(n��i)�j�q22%��
��(b��o)��(d��o)ָ����6�·�MLC��Multi-Level Cell�����64Gb NAND�r(ji��)��P(y��ng)����ÿ��(g��)2.75��Ԫ����2��9��(g��)���ԁ�������������Ҳ�в��ֽ��׃r(ji��)���^3��Ԫ�����M(j��n)��7���ԁ�r(ji��)���Գ��m(x��)�ߓP(y��ng)����(j��)Ӣ��(gu��)�{(di��o)�鹫˾TechNavioָ����2016��ȫ��NAND���w��؛���A(y��)��������3�������^100�|��(g��)��
��(j��)��(b��o)��(d��o)��6����Ѯ����λ�������İ댧(d��o)�w���S��׃늏S��ը��(d��o)��늉������һ��ͣ������ԓ�����SĿǰ�m���؆����a(ch��n)�����^��(j��)Ϥ����׃늏S��ը�¼�Ŀǰ�Ԍ�(du��)����(y��ng)������Ӱ푡������������S��Ҫ���a(ch��n)3DNAND Flash��
�n��(gu��)ý�w���r��?q��ng)?b��o)���İ�6��20��?q��ng)?b��o)��(d��o)�������P(gu��n)ϵ��ʿ��ʾ������������ˮ�����ѕ�(hu��)���ˮ������һ�ӣ������������S���ְ댧(d��o)�w�O(sh��)����Мy(c��)��늉��»������Ԅ�(d��ng)ͣ�����������S�댧(d��o)�w�a(ch��n)�ܼs10%����ܵ�Ӱ�����
�n(li��n)��7��12��?q��ng)?b��o)��(d��o)���n��(gu��)�������2016��Q1��2016��1-3�£�NAND�Ϳ��W��(n��i)�棨Flash Memoy��ȫ���N���~��(chu��ng)�vʷ�¸o(j��)䛣���(w��n)��ȫ�����^λ������(b��o)��(d��o)ָ��������(j��)IHS���Y���@ʾ��Q1����NAND Flash�N���~�^ǰһ����2015��Q4�����L(zh��ng)3.1%��26.15�|��Ԫ�����������w�Ј�(ch��ng)�����L(zh��ng)1.6%���Ľ�2��ˮ��(zh��n)����ռ��Ҳ��ǰһ����42.0%�ϓP(y��ng)��42.6%��
�����ڶ�λ�|֥��Toshiba����ռ���m��24.0%����P(y��ng)����28.0%�����^�c����֮�g���и��_(d��)14.6��(g��)�ٷ��c(di��n)�IJ�ࣻ����λ������(gu��)���⣨Micron����18.8%���n��(gu��)SK Hynix�t��10.6%����ռ��λ�ӵ�4λ��

����admin ����ĕr(sh��)�g��2018-01-05