武漢新芯將并入紫光集團旗下，趙偉國將任董事長
先前科技新報獨家揭露，統(tǒng)籌中國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，并有望獲得美光在NAND Flash的協(xié)助，現(xiàn)在事情再有新進展，根據(jù)調(diào)研機構(gòu)集邦科技旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange說法，紫光將于武漢成立新企業(yè)，未來武漢新芯將并入旗下，據(jù)先前消息，紫光集團董事長趙偉國也將出線擔(dān)任董事長。
朝NANDFlash發(fā)展前進
調(diào)研機構(gòu)集邦科技旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange今27日發(fā)布消息指出，紫光集團預(yù)計于武漢成立長江存儲科技，未來將并入武漢新芯并統(tǒng)籌集團下一切內(nèi)存發(fā)展項目，目前整體規(guī)劃朝向NANDFlash產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
DRAMeXchange認(rèn)為，紫光集團與武漢新芯目前將著力于NAND Flash發(fā)展，除了因NAND Flash后市可期，武漢新芯原為NOR Flash大廠，在生產(chǎn)經(jīng)驗、廠房與產(chǎn)能建置等基礎(chǔ)建設(shè)本就有所擅長。DRAMeXchange協(xié)理楊文得進一步分析，紫光集團則在資金募集及策略并購等均有過人之處，透過兩強攜手整合資源，能使中國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)投資的整體資源配置更加集中，并在整合上產(chǎn)生更多綜效，對內(nèi)可是使未來中國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中瞄準(zhǔn)較佳的地位，對外則能提升產(chǎn)業(yè)上談判的籌碼，有助于中國建立產(chǎn)業(yè)自主性。
根據(jù)科技新報先前取得的消息，紫光集團董事長趙偉國、大基金總經(jīng)理丁文武可能在這之中扮演重要角色，而新芯董事長楊士寧等可能有異動，而目前根據(jù)消息，趙偉國也的確會持續(xù)留在紫光集團董事長此一職位。
飛索半導(dǎo)體之后再攜美光？
武漢新芯在3月底于武漢東湖高新區(qū)所擘劃的內(nèi)存基地才舉移動土典禮，規(guī)劃用于生產(chǎn)3D-NAND Flash，預(yù)計2018年建設(shè)完成，官方預(yù)計，屆時與飛索半導(dǎo)體合作開發(fā)的3D-NAND Flash將能達到32層堆疊，初期量產(chǎn)月產(chǎn)能約20萬片，武漢新芯目標(biāo)到2020年基地總產(chǎn)能達30萬片/月、2030年來到100萬片/月。
楊文得表示，3D-NANDFlash的廠房新建等投資遠(yuǎn)高于2D-NAND Flash數(shù)倍，紫光/武漢新芯方若能循華亞科模式取得美光技術(shù)授權(quán)，則能以較低的財務(wù)負(fù)擔(dān)來獲取長期新產(chǎn)能的布建，更有機會在市占率拉近與三星和東芝/威騰（WD）陣營的距離。
3D-NAND Flash現(xiàn)擴產(chǎn)潮
目前各家大廠在3D-NAND Flash產(chǎn)能的布建，三星在西安廠的投資外，韓國平澤廠區(qū)也規(guī)劃加大新的3D-NAND Flash產(chǎn)能，東芝與西數(shù)（WD）旗下SanDisk日本Fab2廠在日前開幕，新廠也可望自2018下半年投產(chǎn)，海力士則除現(xiàn)階段M11與M12廠外，M14廠第二階段3D-NAND的生產(chǎn)也將從明年第一季后開始進行。英特爾美光陣營在今年3月擴建新加坡Fab10X的擴建外，英特爾大連廠轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3D-NAND Flash芯片也在這個月25日正式投產(chǎn)。
DRAMeXchange預(yù)估，2011~2016年NAND Flash位需求量的年復(fù)合成長率高達47%，在SSD需求高度成長的帶動下，NANDFlash未來10年可望皆維持強勁成長態(tài)勢。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
