鉭電容，專業(yè)術(shù)語，您收藏了嗎？
在《鉭電容,您真的了解了嗎？》提到了鉭電容的電性參數(shù)（CR、VR、tgδ、I0、ESR），那這些參數(shù)究竟代表什么意思呢？下面隨穎特新網(wǎng)小編一起去看看吧。
一、CR (電容量)
標(biāo)稱的額定容量，它是作為等效串聯(lián)電路的容量測試的。
單位：法拉(F),常用單位：微法(uF)
換算如下：1F=103mF =106F =109nF=1012pF
容量的實(shí)際值和額定值之間可允許的偏差，K=±10%，M=±20%。
標(biāo)稱容量是指鉭電容的標(biāo)稱額定容量,其測試條件是25℃、120Hz頻率和1V；直流偏置會造成電容值略微降低；電容值隨頻率的增加而減少，隨溫度的升高而升高。
有效容量隨頻率的增加而減少。超過100KHz,容量繼續(xù)下降直至達(dá)到諧振點(diǎn) (一般在0.5-5MHz 之間，決定于額定值)。超過諧振頻率,元件變成電感。
二、VR(額定電壓)
額定電壓是可以連續(xù)工作在85℃的額定直流電壓。
額定電壓 （V） | 2.5 | 4 | 6.3 | 10 | 16 | 20 | 25 | 35 | 50 |
電壓代號 （V） | e | G | J | A | C | D | E | V | T |
類別電壓(Vc)：可以連續(xù)加到電容器上的最高電壓，它等于+85℃時(shí) 的額定電壓。施加的電壓超過此溫度必須線性降額，125℃時(shí)應(yīng)降到2/3 VR 。
浪涌電壓(Vs)：可以在短時(shí)間內(nèi)可以加到電容器上的最高電壓，包括 AC峰值電壓，DC偏置電壓和瞬間過壓之和。
三、tgδ (損耗)
損耗是電容器中能量損失的度量，在120, 1.0 vrms，+25°C下測試。直流偏置會造成損耗值略微降低。損耗定義為鉭電容的耗能與儲能的比值，也就是ESR和容抗的比值，用百分比表示。損耗與電容值和頻率成正比。損耗也被稱之為損耗角，與Q值互為倒數(shù)。損耗隨頻率增加而增加，隨溫度升高而降低。
四、I0(漏電流)
電容介質(zhì)不可能絕對不導(dǎo)電，當(dāng)電容加上直流電壓時(shí)，電容器會有漏電流產(chǎn)生。若漏電流太大，電容器就會發(fā)熱損壞。
漏電流隨溫度的增加而增加。工作在85℃和 125℃之間，最大工作電壓必須降額，可以從下面的公式中求得：
Vmax.= 
這里：T 是要求的工作溫度
漏電流會隨施加電壓的增大而增大。當(dāng)減少使用電壓時(shí)，漏電流快速下降，低于對應(yīng)額定電壓值時(shí)的漏電流，會明顯增加可靠性。
五、ESR (等效串聯(lián)電阻)
ESR是電容電阻損耗的綜合，包括元件內(nèi)部的電阻和接觸電阻、電容介質(zhì)內(nèi)部的粘滯力和旁路電流通道造成的缺陷，起主導(dǎo)作用的主要是鉭電容的陰極材料，ESR會隨頻率的增加而減少。
ESR 的高低，與電容器的容量、電壓、頻率及溫度都有關(guān)系。
一般來說，當(dāng)額定電壓及殼號固定時(shí)，容量愈大ESR愈低；同樣當(dāng)容量固定時(shí)，選用高的額定電壓的品種也能降低ESR；低頻時(shí)ESR高，高頻時(shí)ESR低；高溫也會造成ESR 的升高。
等效串聯(lián)電阻過大，不僅會影響轉(zhuǎn)換率還會影響輸出紋波電壓。
ESR是等效“串聯(lián)”電阻，將兩個(gè)電容串聯(lián)，會使ESR值增大，而并聯(lián)則會使之減小。因此在需要更低ESR的場合，而低ESR的大容量電容價(jià)格又相對昂貴的情況下，用多個(gè)ESR相對高的電容并聯(lián)，形成一個(gè)低ESR的大容量電容也是一種常用的辦法。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2023-08-18
