應(yīng)材以鈷代銅 導(dǎo)線技術(shù)大躍進(jìn)
全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料宣布，利用鈷金屬全面取代銅當(dāng)作導(dǎo)線材料，以協(xié)助客戶全面推進(jìn)至7奈米以下制程，并延續(xù)摩爾定律，目前將主要應(yīng)用在邏輯芯片當(dāng)中，也可望協(xié)助客戶在3D NAND架構(gòu)中維持效能及良率。
由于智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)需求廣大，顯示行動(dòng)時(shí)代不斷需要更高規(guī)格配備，新應(yīng)用也不斷發(fā)展，以高效能芯片如何突破現(xiàn)有速度、功耗更低及儲(chǔ)存空間更多為例，勢(shì)必就得不斷延續(xù)摩爾定律，從現(xiàn)有的10奈米制程節(jié)點(diǎn)向前演進(jìn)至個(gè)位數(shù)奈米制程。
不過(guò)，10奈米以下制程技術(shù)含量高，且若用現(xiàn)有材料導(dǎo)電速度將會(huì)不如以往效率。因此，應(yīng)用材料17日宣布，將以鈷金屬在個(gè)位數(shù)奈米制程節(jié)點(diǎn)全面取代現(xiàn)有的銅金屬當(dāng)作導(dǎo)線材料，導(dǎo)電效率有顯著提升。
應(yīng)用材料半導(dǎo)體設(shè)備事業(yè)群金屬沉積產(chǎn)品部資深經(jīng)理陸勤表示，將現(xiàn)有的芯片為縮到7奈米及以下制程是目前在半導(dǎo)體歷史中最困難的技術(shù)挑戰(zhàn)，產(chǎn)業(yè)界技術(shù)藍(lán)圖的精進(jìn)有賴組件設(shè)計(jì)、制程技術(shù)及新材料的創(chuàng)新，因此應(yīng)材耗時(shí)3年時(shí)間，研發(fā)出以鈷取代傳統(tǒng)銅的需要，以確保組件效能更高、良率更佳，維持客戶競(jìng)爭(zhēng)力與推進(jìn)技術(shù)藍(lán)圖的主要驅(qū)動(dòng)力。
陸勤指出，以鈷金屬全面取代銅當(dāng)作導(dǎo)線材料，將可能在7奈米制程進(jìn)行學(xué)習(xí)階段，在5奈米制程客戶端有望全面導(dǎo)入。在機(jī)臺(tái)部分可望持續(xù)沿用當(dāng)前的Endura平臺(tái)，進(jìn)行技術(shù)及零件升級(jí)即可采用鈷當(dāng)作導(dǎo)線材料。
陸勤表示，Endura能在關(guān)鍵的阻障層及重晶層進(jìn)行沉積，使制程先進(jìn)的導(dǎo)線成為可能，當(dāng)業(yè)界到達(dá)10奈米以下，島縣內(nèi)非常的薄的薄膜就需要在控制良好的環(huán)境中，有夠精準(zhǔn)材料工程及接口，這套系統(tǒng)能支持最多8個(gè)制程反應(yīng)室，方便半導(dǎo)體廠能將各個(gè)制程技術(shù)同時(shí)整合在同一平臺(tái)上。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
