片式聚合物疊層鋁電容PK鉭電容，誰(shuí)是優(yōu)等生？
小易說(shuō):鋁電解家族的新品種——片式聚合物疊層鋁電容（以下簡(jiǎn)稱MLPC），采用高導(dǎo)電率的聚合物材料作為陰極。外觀與大尺寸mlcc基本一致，其電氣性能超過(guò)了液體片式鋁電解電容和固體片式鉭電解電容。選型替代、查料問(wèn)貨、拓展供應(yīng)商就上穎特新網(wǎng)~
雖然鉭電容在一定程度上優(yōu)于鋁電解電容，但由于鉭電容一旦損壞就容易造成短路進(jìn)而燃燒，所以很多用戶設(shè)計(jì)中明確表示禁用鉭電容。也因此，聚合物疊層鋁電容替代鉭電容貌似成為趨勢(shì)。參考穎特新之前文章《鋁電解的下一個(gè)風(fēng)口，MLPC？》
以下是幾種電容細(xì)分門類的分類介紹，我們來(lái)一窺其中的究竟：
一、電解液電容
含有電解液的電容產(chǎn)品是歷來(lái)使用的最多的電容之一，因價(jià)格便宜、技術(shù)難度不高，因此數(shù)量繁多。一旦出現(xiàn)意外，電解液氣化時(shí)必然從頂部凹槽沖出，不會(huì)將外殼炸得四分五裂，有效避免爆炸時(shí)殃及池魚、炸壞電容附近其它元件，這種情況被稱為電容“爆漿”。傳統(tǒng)電解液電容在這些年逐漸被性能更高的其他電容取代。
二、固態(tài)電容
全稱為固態(tài)鋁質(zhì)電解電容，與普通電容（即液態(tài)鋁質(zhì)電解電容）最大差別在于采用了不同的介電材料，液態(tài)鋁電容介電材料為電解液，而固態(tài)電容的介電材料則為導(dǎo)電性高分子。
固態(tài)電容有更好的電氣性能、沒有污染、可耐300度以上的高溫、安全性較好。當(dāng)遇到高溫時(shí)，電解質(zhì)只是熔化而不會(huì)產(chǎn)生爆炸，因此它不像普通鋁電解液電容那樣開有防爆槽。
固體電容的缺陷在于成本昂貴，耐電壓性能不強(qiáng)，很難超過(guò)300V。
三、鉭電容
固體鉭電容器是1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室首先研制成功的。性能優(yōu)異，是電容器中體積小而又能達(dá)到較大電容量的產(chǎn)品。鉭電容器外形多樣，并制成適于表面貼裝的小型和片型元件。不僅在軍事通訊、航天等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，而且在汽車，工業(yè)控制，影視設(shè)備、通訊儀表等市場(chǎng)也大量使用。鉭電容又分兩種——二氧化錳鉭電容、鉭聚合物電容（polymer或KO）。鉭聚合物電容高頻特性優(yōu)異、無(wú)爆炸燃燒風(fēng)險(xiǎn)、電壓降額無(wú)需砍半，但價(jià)格昂貴。
四、片式疊層聚合物鋁電容（MLPC）
MLPC是采用高導(dǎo)電率的聚合物材料作為陰極的片式疊層鋁電解電容器，具有超越現(xiàn)有液體片式鋁電解電容器和固體片式鉭電解電容器的卓越電性能。
疊層聚合物鋁電容在額定電壓范圍內(nèi)無(wú)需降壓使用，具有極低的ESR，降低紋波電壓能力強(qiáng)，允許通過(guò)更大紋波電流。MLPC在高頻下，阻抗曲線呈現(xiàn)近似理想電容器的特性；在頻率變化情況下，電容量非常穩(wěn)定。主要應(yīng)用于主板（筆記本電腦、平板顯示器、數(shù)字交換機(jī)） 旁路去耦/儲(chǔ)能濾波電容、開關(guān)電源、DC/DC變換器、高頻噪聲抑制電路及便攜式電子設(shè)備等，替代大尺寸D殼鉭電容的市場(chǎng)前景廣闊，全球市場(chǎng)容量預(yù)估超過(guò)30 億元人民幣之多。以下是圖表示例：
電氣性能比拼：鉭電容 VS MLPC
鉭電容和MLPC都是目前最好的電容，那強(qiáng)強(qiáng)對(duì)決誰(shuí)更勝一籌呢？通過(guò)以下圖表對(duì)比可以看出：MLPC相比鉭電容，有著更好的電氣性能。MLPC電容的ESR和ESL值更低，是目前所有電容中最低的，比鉭電容（二氧化錳鉭電容和聚合物鉭電容）明顯低。
ESR對(duì)比（ESR值一般是越低越好）：
吸噪能力對(duì)比
頻率特性對(duì)比
目前全球只有屈指可數(shù)的幾家廠商可以大規(guī)模的投產(chǎn)MLPC，分別為松下，村田，Kemet , 湖南艾華，福建國(guó)光，萬(wàn)裕三信。
但MLPC也有弱點(diǎn)：耐壓很難過(guò)35V （鉭電容最高可以到63V），容值很難超過(guò)560UF（鉭電容可以到2200UF），另外尺寸目前也很難做小，暫時(shí)只有7343這一個(gè)尺寸，對(duì)應(yīng)替換鉭電容的D殼。 6032、3528、3216等小尺寸很難實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，在工藝和技術(shù)上都需要時(shí)間去進(jìn)一步沉淀，才能夠走上替代D殼鉭電容的坦途。
文章 / 小易
圖片 / 網(wǎng)絡(luò)
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
