CBB21電容規(guī)格參數(shù)
CBB21是金屬化薄膜電容器。用有金屬化聚丙烯膜為介質(zhì)，CBB21電容高頻損耗小，可靠性高，自愈性好，內(nèi)部溫升很小，內(nèi)串結(jié)構(gòu)。
CBB21電容特點(diǎn)：
以金屬化聚特酯膜作介質(zhì)和電極，用阻燃環(huán)氧樹脂浸封，引腳為鍍錫銅包剛線，具有非常低介電吸收，高頻損耗小和良好自愈性能。
CBB21電容技術(shù)指標(biāo)：（GB/T 14579 IEC 60384-17）：
1、使用溫度：-40℃~105℃
2、容量范圍：0.001uF~3.3uF
3、允許偏差：±5%(J),±10%(K)
4、額定電壓：100V、250V、400V、630V、1000V
5、耐電壓：1.6UR,5sec
6、損耗角： 0.1% Max, at 1KHz and 20℃
7、絕緣電阻：CR≤0.33μF,IR≥15000MΩ
CR>0.33μF,IR≥5000 MΩ/CAP(uF)
下面例舉CBB21電容的規(guī)格參數(shù)表：
CBB21電容用途：
CBB21電容廣泛應(yīng)用于高頻；直流；交流和脈動(dòng)電路中；各咱高 頻，大電流場(chǎng)合。適應(yīng)用于要求體積小，性能優(yōu)異的彩電S校正電路。CBB21電容用在濾波，偶合上比較多。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-02-26
