高壓瓷片電容器的絕緣電阻
高壓瓷片電容器的絕緣電阻取決于介質(zhì)材料配方、工藝過程（燒結(jié)）和測量時的溫度。所有介質(zhì)的絕緣電阻都會隨溫度的提高而下降，在低溫（-55℃）到高溫（125℃）的MIL溫度特性范圍內(nèi)可以觀察到一個非常大的下降過程。
測量瓷片電容器絕緣電阻的時需要重點考慮絕緣電阻與電容量的關(guān)系。電容量值與絕緣電阻成反比，即電容量越高，絕緣電阻越低。這是因為電容量與漏電流大小 是相互成正比的，可以用歐姆定律和比體積電容關(guān)系加以說明。歐姆定律表述了導體中電流（I），電壓（V）和電阻（R）之間的關(guān)系：
I = V/R
但是，電阻（R）是一個與尺寸有關(guān)的物理量，也與材料本征的電阻率有關(guān)，如下所示：
R = ρL/A
這里 L = 導體長度 A = 導體橫截面積。因此電流（I）可以表示為： I = VA/ρL
高壓瓷片電容器中通過絕緣體的漏電流（i）也可用上述關(guān)系式表示：I = VA’/ρt ，這里 V = 測試電壓 A’ = 有效電極面積ρ= 介質(zhì)電阻率 t = 介質(zhì)層厚度
從上面關(guān)系式可以看到，對于給定的測試電壓，漏電流大小正比于電容器有效電極面積，反比于介質(zhì)層厚度（和電阻率），即：i ∝ A’/t
類似地，電容量（C）正比于有效電極面積，反比于介質(zhì)層厚度，即：C = KA’/4.452t （這里 K = 介電常數(shù) A’ = 有效電極面積 t = 介質(zhì)層厚度）
因此 C ∝ A’/t 以及 i ∝ C
漏電流（i）與絕緣電阻成反比，即：IR ∝ 1/C
基于上述關(guān)系，可以歸納出以下幾點：
1．絕緣電阻是測試電壓的函數(shù)，漏電流正比于外加電壓：i = VA’/ρt 或 IR =ρt/VA’
2. 對于任意給定的電容器，絕緣電阻很大程度上依賴于介質(zhì)材料本征的電阻率（ρ），也依賴于材料配方和測量時的溫度。
3. 電容器絕緣電阻（IR）的測量值與電容量成反比，也就是說，IR是電容量的函數(shù)，因此，工業(yè)應用中產(chǎn)品IR的最小標準是由電阻（R）和容量（C）, （R×C），所決定的，如下表所示。EIA標準要求產(chǎn)品在25℃時R×C超過1000歐姆-法拉（通常表示成1000兆歐-微法），在125℃時超過 100歐姆-法拉。
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編輯：admin 最后修改時間：2018-02-26
