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SRAM與SDRAM有什么區(qū)別?

關(guān)鍵字:SRAM SDRAM 作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-05-18  瀏覽:10

 SDRAM

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,同步是指Memory工作需要步時鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。目前的168線64bit帶寬內(nèi)存基本上都采用SDRAM芯片,工作電壓3.3V電壓,存取速度高達(dá)7.5ns,而EDO內(nèi)存最快為15ns。并將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制,使RAM與CPU外頻同步,取消等待時間,所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。

SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代,分別是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM.

第一代與第二代SDRAM均采用單端(Single-Ended)時鐘信號,第三代與第四代由于工作頻率比較快,所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。

SDR SDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率,第一代內(nèi)存用時鐘頻率命名,如pc100,pc133則表明時鐘信號為100或133MHz,數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。

之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標(biāo)準(zhǔn),并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作頻率是333/2=166MHz,2700表示帶寬為2.7G。

DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400,DDR2從DDR2-400到DDR2-800,DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。

很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM,并且作為名詞解釋,皆屬誤導(dǎo),SDR不等于SDRAM。

Pin:模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳,而模組的pin就是常說的“金手指”。

SIMM:Sigle In-line Memory Module,單列內(nèi)存模組。內(nèi)存模組就是我們常說的內(nèi)存條,所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳(雖然兩側(cè)都有金手指)。

DIMM:Double In-line Memory Module,雙列內(nèi)存模組。是我們常見的模組類型,所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳,模組電路板兩側(cè)的金手指對應(yīng)一列引腳。

RDIMM:registered DIMM,帶寄存器的雙線內(nèi)存模塊

SO-DIMM:筆記本常用的內(nèi)存模組。

工作電壓:

SDR:3.3V

DDR:2.5V

DDR2:1.8V

DDR3:1.5V

SRAM

SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路,每隔一段時間,固定要對DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積,在主板上哪些是SRAM呢?

一種是置于CPU與主存間的高速緩存,它有兩種規(guī)格:一是固定在主板上的高速緩存(Cache Memory );二是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)擴(kuò)充用的高速緩存,另外在CMOS芯片1468l8的電路里,它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM,存儲我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。

還有一種是為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送,自80486CPU起,在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存,故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache(一級高速緩存)和L2Cache(二級高速緩存)的名詞,一般L1 Cache是內(nèi)建在CPU的內(nèi)部,L2 Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部,故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。

SRAM顯然速度快,不需要刷新的動作,但是也有另外的缺點(diǎn),就是價格高,體積大,所以在主板上還不能作為用量較大的主存,F(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下:

◎優(yōu)點(diǎn),速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。

◎缺點(diǎn),集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價格較高,少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。

◎SRAM使用的系統(tǒng):

○CPU與主存之間的高速緩存

○CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存

○CPU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存

○CMOS 146818芯片(RT&CMOS SRAM)

SRAM與SDRAM的比較:

SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的;SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會泄漏,需要定時給與補(bǔ)充,所以動態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路。但動態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低,從而成本也低,適于作大容量存儲器。所以主內(nèi)存通常采用SDRAM,而高速緩沖存儲器(Cache)則使用SRAM,在存取速度上,SRAM>SDRAM。另外,內(nèi)存還應(yīng)用于顯卡、聲卡及CMOS等設(shè)備中,用于充當(dāng)設(shè)備緩存或保存固定的程序及數(shù)據(jù)。

編輯:admin  最后修改時間:2018-05-18

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