NAND芯片需求旺，SK海力士將建廠擴(kuò)產(chǎn)
日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，SK海力士將在2025年以前打造一座新的內(nèi)存芯片廠，加入由數(shù)據(jù)中心與個(gè)人計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體需求成長所驅(qū)動(dòng)的投資競賽。
海力士周一宣布計(jì)劃投資15.5兆韓元（125億美元）在南韓忠清北道清州廠旁，興建這一座內(nèi)存芯片新廠。該公司已經(jīng)取得25萬平方公尺的用地，并已和清州市政府交換備忘錄。知情人士透露，海力士的新廠將于2018年動(dòng)工興建，并于2019年起分階段投入生產(chǎn)。海力士尚未決定該廠負(fù)責(zé)的確切項(xiàng)目，但一名公司高層表示，新廠可能生產(chǎn)NAND閃存芯片。該廠若完全投入NAND芯片的生產(chǎn)，將使得海力士的此類芯片總產(chǎn)能由目前的每月22萬片晶圓擴(kuò)大將近1倍。
此外，海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進(jìn)的3D NAND芯片，將于4月初開始出貨。其同業(yè)三星電子在2013年率先完成3D NAND芯片的商用化，而日本東芝公司則計(jì)劃在本月開始出貨此類芯片。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-22
