內(nèi)存需求回春，SK 海力士凈利仍大減 74%
中國臺灣地區(qū)南亞科、華邦電等內(nèi)存廠將在本周召開法說，而韓國內(nèi)存大廠SK海力士今26日先行登場，或能做為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)重要風向球。從SK海力士情況來看，DRAM與NAND Flash需求都有回升之勢，但平均銷售價格似乎還未能見起色。
SK海力士今26日公布財年第二季財報，SK海力士第二季營收3.94兆韓元，在需求回穩(wěn)產(chǎn)品出貨優(yōu)于預期下季增8%，對比去年同期營收則衰退15%，但平均銷售價格有所下滑，營業(yè)利潤4,530億，季減19%、年減67%比砍半還慘，受到匯損等影響，凈利2,860億，季減36%、年減高達74%。
（Source：SK Hynix）
內(nèi)存需求回春，但在平均單價降低與匯兌損失下，未能反映在獲利表現(xiàn)。SK海力士指出，DRAM與NAND Flash位出貨量都有所成長。受到智能手機需求強勁以及電腦內(nèi)存復蘇之下，DRAM位成長18%，但平均銷售單價（ASP）卻也減了11%。NAND Flash在智能手機嵌入式內(nèi)存、SSD等需求持續(xù)成長下，位成長率大增52%，平均銷售單價因產(chǎn)品價格下降與TLC產(chǎn)品單價較低，同樣減少11%。
NAND Flash與DRAM占營收比重也出現(xiàn)明顯消長，DRAM在第一季占SK海力士營收76%，到了第二季減少5%至71%，而NAND Flash占營收比重則成長了5%至26%。
（Source：SK Hynix）
SK海力士強調(diào)將擴大在2Z納米DRAM產(chǎn)品線以反應后續(xù)的需求，2Z納米不只運用于公司PC DRAM出貨，也適用于移動DRAM，官方預計將增加DDR4與LPDDR4的出貨，估計在2016年末出貨占比將來到總DRAM出貨量的40%，而平面NAND Flash將推進到1Y納米制程，業(yè)界正在競逐的3DNAND Flash競賽，SK海力士36層堆疊產(chǎn)品已經(jīng)開始出貨，48層堆疊的3D NAND Flash也將于今年下半問世。
展望第三季，官方預估，在幾家智能手機主要客戶推出新機下，需求將大幅成長，第三季有望有較佳的表現(xiàn)，第三季DRAM出貨量估計能有高個位數(shù)成長，NANDFlash更能略高于10%，
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-22
