武漢新芯與紫光集團聯手，中國 NAND Flash 產業(yè)邁入新章
紫光集團預計于武漢成立長江儲存科技，未來將納入武漢新芯并統籌旗下一切內存發(fā)展項目，目前整體規(guī)劃朝向NANDFlash產業(yè)發(fā)展。TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，紫光集團與武漢新芯聯手，使中國內存產業(yè)發(fā)展進入新章，可望為后續(xù)中國布建自主性內存產業(yè)帶來進展。中國業(yè)者近一年來藉布局內存產業(yè)所展現的規(guī)劃力、執(zhí)行力與彈性均不容小覷，未來一舉一動都將牽動全球內存產業(yè)格局。
DRAMeXchange預估2011~2016年NAND Flash位需求量的年復合成長率高達47%，在SSD需求高度成長的帶動下，NANDFlash未來10年可望皆維持高度成長態(tài)勢，因而紫光集團與武漢新芯目前的發(fā)展將著力于NANDFlash產業(yè)。楊文得指出，武漢新芯原為NORFlash大廠，在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設有所擅長，而紫光集團則在資金募集及策略并購等均有過人之處，透過兩強攜手整合資源，能使中國內存產業(yè)投資的整體資源配置更加集中，并在整合上產生更多綜效，對內得以于未來中國內存產業(yè)的發(fā)展中瞄準較佳的地位，對外則能提升產業(yè)上談判的籌碼，有助于中國建立產業(yè)自主性，后續(xù)發(fā)展值得關注。
現階段武漢新芯在NANDFlash的布局領先其他中國內存業(yè)者，其與飛索半導體合作開發(fā)的3D-NAND Flash技術正持續(xù)往32層堆疊的初期量產目標邁進，今年3月也在大基金的支持下興建新3D-NAND Flash廠，預計2018上半年實現量產目標。至于其他NANDFlash業(yè)者，三星除西安廠的投資外，韓國平澤廠區(qū)也規(guī)劃新的3D-NAND Flash產能。東芝與威騰公司旗下閃迪在日本Fab2廠的產能持續(xù)增加，新廠也可望自2018下半年投產最新制程的3D-NAND。
SK海力士則除現階段M11與M12廠外，M14廠第二階段3D-NAND的生產也將從明年第一季開始進行。美光現除了新加坡Fab10X的擴建外，并未有新廠規(guī)劃。楊文得進一步表示，由于3D-NANDFlash的廠房新建等投資遠高于2D-NAND Flash的數倍，因此美光集團若能與紫光集團／武漢新芯比照“華亞科”模式合作（美光提供生產技術，合作方提供資金與生產產能），則能以較低的財務負擔來獲取長期新產能的布建，更有機會在市占率拉近與三星和東芝／威騰陣營的距離。因此紫光集團與武漢新芯的聯手格外引人矚目。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
