內(nèi)存缺貨 打亂科技廠布局
今年以來DRAM及NAND Flash嚴重缺貨，價格漲不停，智能手機及筆電基于成本考慮，傳出不再提高搭載容量消息。實際上，智能手機廠過去幾年將搭載高容量DRAM及NAND Flash作為銷售題材，但今年價格大漲使成本比重墊高，手機搭載容量不再提升，改口力推高分辨率面板及雙鏡頭。筆電廠則要消費者自己買DRAM模塊或SSD來安裝。
由于智能手機及筆電的功能日益強大，對DRAM及NAND Flash的搭載容量需求自然水漲船高。不過，內(nèi)存市場自去年下半年以來就面臨供給吃緊壓力，今年價格更是大漲，包括4GB DDR3/DDR4模塊合約價在第一季漲至25美元左右，季度漲幅超過3成；另行動用8Gb LPDDR3價格也漲至5.5～6.0美元之間，季度漲幅逾1成。
NAND Flash市場以TLC規(guī)格芯片缺貨最嚴重，采用TLC規(guī)格NAND Flash的手機用32GB eMMC內(nèi)存模塊第一季價格已沖上10美元，采用TLC規(guī)格NAND Flash的120GB固態(tài)硬盤（SSD）站上45美元，平均漲幅同樣超過10％。
面對DRAM、NAND Flash雙漲，手機廠及筆電廠面臨嚴重成本上升壓力。以智能手機廠來說，過去幾年都以搭載高容量DRAM及NAND Flash來做促銷手法，但今年包括OPPO、Vivo等手機廠只維持Mobile DRAM搭載量在3～4GB，沒有如預期般提升到6GB，NAND Flash搭載也控制在64GB為主流，128GB以上高容量只有旗艦機型才有。
手機廠今年主打促銷轉(zhuǎn)向強調(diào)搭載高分辨率面板，或是采用與蘋果、三星同等級的AMOLED面板，再來就是強調(diào)雙鏡頭的攝影功能。業(yè)者坦言，內(nèi)存價格漲上來后，占整機成本比重已超過1成，成本上吃不消，只好停止內(nèi)存的容量升級，將規(guī)格升級放在高分辨率面板及千萬畫素以下雙鏡頭的部分。
筆電廠也面臨內(nèi)存成本過高壓力。OEM業(yè)者表示，搭載英特爾最新Kaby Lake處理器及微軟Windows 10的筆電，原本應該要提高SSD容量至250GB以上，并搭載8GB DRAM模塊，但在成本過高下只好維持原本的120/128GB SSD及4GB DRAM的搭載，消費者若要提高規(guī)格，就請消費者自己買DRAM或SSD來自行安裝。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
