NAND FLASH的結(jié)構(gòu)和特性
NAND FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖見(jiàn)圖1，可見(jiàn)每個(gè)Bit Line下的基本存儲(chǔ)單元是串聯(lián)的，NAND讀取數(shù)據(jù)的單位是Page，當(dāng)需要讀取某個(gè)Page時(shí)，F(xiàn)LASH 控制器就不在這個(gè)Page的Word Line施加電壓，而對(duì)其他所有Page的Word Line施加電壓（電壓值不能改變FloatingGate中電荷數(shù)量），讓這些Page的所有基本存儲(chǔ)單元的D和S導(dǎo)通，而我們要讀取的Page的基本存儲(chǔ)單元的D和S的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)則取決于Floating Gate是否有電荷，有電荷時(shí)，Bit Line讀出‘0’，無(wú)電荷Bit Line讀出‘1’，實(shí)現(xiàn)了Page數(shù)據(jù)的讀出，可見(jiàn)NAND無(wú)法實(shí)現(xiàn)位讀取（即Random Ａccess），程序代碼也就無(wú)法在NAND上運(yùn)行。
圖1是一個(gè)8*8bit的NAND FLASH的原理結(jié)構(gòu)圖，圖2是沿Bit Line切面的剖面圖，展示了NAND FLASH的硅切面示意圖，NAND FLASH的串聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了其很多特點(diǎn).
（圖1）
（圖2）
（1）基本存儲(chǔ)單元的串聯(lián)結(jié)構(gòu)減少了金屬導(dǎo)線占用的面積，Die的利用率很高，因此NAND FLASH存儲(chǔ)密度高，適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)合，即適用于data-storage。
（2）基本存儲(chǔ)單元的串聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了NAND FLASH無(wú)法進(jìn)行位讀取，也就無(wú)法實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)單元的獨(dú)立尋址，因此程序不可以直接在NAND 中運(yùn)行,因此NAND是以Page為讀取單位和寫(xiě)入單位，以Block為擦除單位，見(jiàn)圖3。
（3）NAND FLASH寫(xiě)入采用F-N隧道效應(yīng)方式，效率較高，因此NAND擦除/寫(xiě)入速率很高，適用于頻繁擦除/寫(xiě)入場(chǎng)合。同時(shí)NAND是以Page為單位進(jìn)行讀取的，因此讀取速率也不算低（稍低于NOR）。
最后來(lái)個(gè)小貼士：NAND FLASH的中的N是NOT，含義是Floating Gate中有電荷時(shí)，讀出‘0’，無(wú)電荷時(shí)讀出‘1’，是一種‘非’的邏輯；AND的含義是同一個(gè)Bit Line下的各個(gè)基本存儲(chǔ)單元是串聯(lián)的，是一種‘與’的邏輯，這就是NAND 的由來(lái)。
（圖3）
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編輯：simon 最后修改時(shí)間：2019-09-17
