NOR FLASH的結(jié)構(gòu)和特性
NOR FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖圖1，可見(jiàn)每個(gè)Bit Line下的基本存儲(chǔ)單元是并聯(lián)的，當(dāng)某個(gè)Word Line被選中后，就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)該Word的讀取，也就是可以實(shí)現(xiàn)位讀取（即Random Ａccess），且具有較高的讀取速率，圖2是一個(gè)3*8bit的NOR FLASH的原理結(jié)構(gòu)圖，圖3是沿Bit Line切面的剖面圖，展示了NOR FLASH的硅切面示意圖，這種并聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了NOR FLASH的很多特性。
（圖一）
（圖二）
（1）基本存儲(chǔ)單元的并聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了金屬導(dǎo)線占用很大的面積，因此NORFLASH的存儲(chǔ)密度較低，無(wú)法適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)合，即適用于code-storage，不適用于data-storage,見(jiàn)圖3
（2）基本存儲(chǔ)單元的并聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了NOR FLASH具有存儲(chǔ)單元可獨(dú)立尋址且讀取效率高的特性，因此適用于code-storage，且程序可以直接在NOR 中運(yùn)行（即具有RAM的特性）。
（3）NOR FLASH寫(xiě)入采用了熱電子注入方式，效率較低，因此NOR寫(xiě)入速率較低，不適用于頻繁擦除/寫(xiě)入場(chǎng)合。
（圖三）
最后來(lái)個(gè)小貼士：NOR FLASH的中的N是NOT，含義是Floating Gate中有電荷時(shí)，讀出‘0’，無(wú)電荷時(shí)讀出‘1’，是一種‘非’的邏輯；OR的含義是同一個(gè)Bit Line下的各個(gè)基本存儲(chǔ)單元是并聯(lián)的，是一種‘或’的邏輯，這就是NOR 的由來(lái)。
編輯：simon 最后修改時(shí)間：2019-09-17
