合肥長(zhǎng)鑫是如何在銅墻鐵壁上鉆出洞來(lái)的？
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，用于計(jì)算機(jī)處理器中以實(shí)現(xiàn)最佳功能。隨著云計(jì)算的應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越多，市場(chǎng)對(duì)于DRAM的需求正在擴(kuò)大。這個(gè)市場(chǎng)，向來(lái)不是中國(guó)企業(yè)的舞臺(tái)，很長(zhǎng)的一段時(shí)間里，三星電子，SK海力士和美光科技（MU）三家公司占據(jù)著95％的市場(chǎng)份額，它們稱為“ DRAM Trio”或“ D3”。它們既是高墻，也是鐵板。
如今，一絲絲裂縫出現(xiàn)了。
5月14日，合肥長(zhǎng)鑫推出了自己的DRAM芯片產(chǎn)品，這被視作中國(guó)企業(yè)在此領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從0到1的突破。
DRAM芯片退潮記
中國(guó)曾經(jīng)在DRAM領(lǐng)域，嘗試過(guò)突破。
1993年，“908工程”的主體項(xiàng)目——無(wú)錫華晶生產(chǎn)出國(guó)內(nèi)第一塊基于2.5um制程工藝的256 Kb DRAM。
但這并不能令人滿意。自1990年開(kāi)始的“908工程”，此時(shí)已經(jīng)投資了20多億元，但市場(chǎng)化的前景依然模糊，一兩塊產(chǎn)品的突破，顯然不能滿足期待。
擔(dān)心很快成為現(xiàn)實(shí)，1997年，無(wú)錫華晶總算建成投產(chǎn)，但“建成即落后”的現(xiàn)實(shí)和隨之而至的金融危機(jī)，讓它陷入發(fā)展瓶頸。
1997年，華晶投產(chǎn)時(shí)，韓國(guó)的芯片技術(shù)，尤其是DRAM技術(shù)，已經(jīng)大幅度領(lǐng)先美國(guó)及日本，成為世界第一，推出了0.18um制程工藝的1Gb容量的DRAM。但華晶的技術(shù)，正是來(lái)自日本。
1998年，無(wú)錫華晶與上海華虹簽署合作協(xié)議，為“909工程”的主體項(xiàng)目上海華虹生產(chǎn)MOS圓片，華晶芯片生產(chǎn)線開(kāi)始承接上華公司來(lái)料加工業(yè)務(wù)，開(kāi)始執(zhí)行100%代工的Foundry模式。
中國(guó)企業(yè)第一次主動(dòng)放棄了在DRAM芯片的追趕與努力，這也意味著，相關(guān)技術(shù)開(kāi)始步步落后。尤其是衡量DRAM芯片的兩個(gè)重要指標(biāo)制程工藝和容量，更是再無(wú)追趕可能。
上海華虹試圖追趕，并開(kāi)始引入日系的DRAM芯片企業(yè)NEC。1999年9月，華虹開(kāi)始量產(chǎn)基于0.35um制程工藝8吋晶圓的64M DRAM芯片，但同樣的產(chǎn)品，三星已經(jīng)在1992年量產(chǎn)。
2001年，NEC沒(méi)能熬過(guò)互聯(lián)網(wǎng)泡沫，宣布退出DRAM市場(chǎng)，并將半導(dǎo)體部門剝離出來(lái)，另外合資成立了爾必達(dá)（Elpida）。華虹立刻陷入了困局，不僅是工藝落后，現(xiàn)在連技術(shù)源都失去了，此后，華虹開(kāi)始轉(zhuǎn)型，并于2004年開(kāi)始晶圓代工，退出了DRAM產(chǎn)業(yè)。
“市場(chǎng)換技術(shù)”并沒(méi)有帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，中國(guó)芯片企業(yè)，再次嘗到了苦果。
同樣是2004年，上市后的中芯國(guó)際在北京投資建設(shè)了中國(guó)大陸第一座12吋晶圓廠（Fab 4），并于2006年大規(guī)模量產(chǎn)與奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda AG）母公司英飛凌（Infineon Technologies）提供的80nm制程工藝的DRAM芯片，同時(shí)為奇夢(mèng)達(dá)、爾必達(dá)代工生產(chǎn)DRAM芯片，到2008年時(shí)，中芯國(guó)際在DRAM制造領(lǐng)域，已經(jīng)獲得了大陸30%的市場(chǎng)份額，但是隨著與臺(tái)積電（TSMC）官司的加深，中芯國(guó)際被迫放棄DRAM芯片業(yè)務(wù)。
中國(guó)大陸的DRAM芯片從設(shè)計(jì)到制造，全線衰落。
2008年的金融危機(jī)，導(dǎo)致了DRAM芯片行業(yè)發(fā)生了巨大變化，奇夢(mèng)達(dá)倒閉，爾必達(dá)被鎂光(Micron)收購(gòu)，全球DRAM產(chǎn)業(yè)，進(jìn)入到美韓壟斷的三星（Samsung）、海力士（Sk Hynix）及鎂光的“三巨頭”時(shí)代。
2013年開(kāi)始，智能手機(jī)行業(yè)崛起，DRAM市場(chǎng)迅速擴(kuò)大，已經(jīng)掌握了絕對(duì)定價(jià)權(quán)的美韓企業(yè)，拉開(kāi)了DRAM價(jià)格一路上漲的大潮！肮S失火、倉(cāng)庫(kù)進(jìn)水、供電不足”均成為漲價(jià)理由。
在2019年中國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)口的統(tǒng)計(jì)中，DRAM芯片進(jìn)口金額高達(dá)800億美元，占到了芯片進(jìn)口總額的一半。
突然殺出一個(gè)合肥長(zhǎng)鑫
早在2014年6月24日，國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國(guó)家戰(zhàn)略。當(dāng)年9月24日，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡(jiǎn)稱“大基金”）成立。
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局基本確定的情況下，國(guó)家牽頭，發(fā)起沖擊。
此時(shí)的DRAM市場(chǎng)格局是這樣的：三星以45%在市場(chǎng)占有率，占據(jù)著絕對(duì)地位，海力士29%緊隨其后，加上鎂光的21%，美韓占據(jù)了DRAM市場(chǎng)的95%，剩下的份額，被臺(tái)灣的南亞和華邦瓜分，中國(guó)，從0開(kāi)始。
2016年，中國(guó)儲(chǔ)存器迎來(lái)了“自建”元年。
2月26日，晉華由福建省電子信息集團(tuán)、及泉州、晉江兩級(jí)政府共同出資設(shè)立，初期晉華集成與聯(lián)電開(kāi)展技術(shù)合作，專注于DRAM領(lǐng)域；
6月13日，合肥長(zhǎng)鑫由合肥產(chǎn)投牽頭成立，主攻DRAM方向；
7月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立，首個(gè)NAND Flash生產(chǎn)線在武漢建設(shè)，一期投資240億美元。
面對(duì)一個(gè)動(dòng)輒上百億元巨額投資、由寡頭壟斷、市場(chǎng)容量過(guò)萬(wàn)億、年進(jìn)口總金額超1000億美元的產(chǎn)業(yè)，中國(guó)的做法，不僅大膽，而且不再像之前的項(xiàng)目一樣，著眼一處。
這種采用多方并進(jìn)、多點(diǎn)齊投的發(fā)展模式，帶給了人們不同的思考。
合肥、泉州、武漢+紫光的“三地一企”的投資方式中，合肥是最不被看好的一處，彼時(shí)的武漢，已經(jīng)有紫光的一些公司在運(yùn)營(yíng)，他們是武漢新芯、西安國(guó)芯等，加上武漢已經(jīng)爭(zhēng)取到“國(guó)家儲(chǔ)存器基地”項(xiàng)目。
而泉州、晉江兩級(jí)共建的晉華，和臺(tái)灣有一衣帶水的優(yōu)勢(shì)，加上其技術(shù)來(lái)源是聯(lián)華電子，更是有一定優(yōu)勢(shì)。
但是，最終，是合肥又獲得了一個(gè)“京東方”。
這個(gè)被稱為“506項(xiàng)目”在合肥悄然啟動(dòng)了，直到2017年3月9日，這個(gè)后來(lái)被稱為合肥長(zhǎng)鑫的項(xiàng)目，都被叫做“506”。
2016年10月17日，項(xiàng)目開(kāi)始。
2017年3月1日，安徽省《關(guān)于印發(fā)2017年省級(jí)調(diào)度項(xiàng)目的通知》發(fā)布，合肥長(zhǎng)鑫的項(xiàng)目，位列其中。被譽(yù)為“戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)”的項(xiàng)目是一個(gè)12吋晶圓基地，總投資534億，2017年預(yù)計(jì)投資35億，并計(jì)劃在當(dāng)年完成調(diào)試工作。
很快，合肥長(zhǎng)鑫的研發(fā)進(jìn)入到了快車道，當(dāng)所有人都以為，合肥長(zhǎng)鑫會(huì)在兆易創(chuàng)新提供的技術(shù)基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)DRAM芯片時(shí)，美國(guó)的禁令，給所有人都潑了一盆冷水。
合肥長(zhǎng)鑫不得不調(diào)整了研發(fā)方向，從公開(kāi)信息看，禁令來(lái)臨時(shí)，合肥長(zhǎng)鑫的32層DRAM芯片已經(jīng)研發(fā)完成，64層DRAM芯片則逐步攻破原有技術(shù)難點(diǎn)，此后，合肥長(zhǎng)鑫調(diào)整的研發(fā)方向，直接進(jìn)入64層DRAM芯片的研發(fā)，并對(duì)原有的架構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行了一定程度的調(diào)整，以規(guī)避可能出現(xiàn)的專利風(fēng)險(xiǎn)。
制程工藝方面，同時(shí)進(jìn)行著兩個(gè)10nm級(jí)方案，分別是1x nm的19nm和1y nm的17nm，分屬兩個(gè)不同的團(tuán)隊(duì)同時(shí)進(jìn)行，這與三星等巨頭存在差距，但距離不大。
2018年1月，合肥長(zhǎng)鑫建成全國(guó)最大的單一12吋DRAM芯片晶圓生產(chǎn)產(chǎn)線。7月16日，合肥長(zhǎng)鑫召開(kāi)了一場(chǎng)“控片投片總結(jié)會(huì)”，宣布正式投產(chǎn)電性片，合肥長(zhǎng)鑫是我國(guó)三大存儲(chǔ)器項(xiàng)目第一個(gè)宣布建成投片的項(xiàng)目。
會(huì)上，朱一明接過(guò)72歲王寧國(guó)CEO的位置，他是兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人，此舉被認(rèn)為是合肥長(zhǎng)鑫利用朱一明的影響力來(lái)進(jìn)行國(guó)際采購(gòu)和國(guó)際合作最重要的一步。
10月22日，朱一明訪問(wèn)歐洲，先是希望從ASML，購(gòu)買EUV光刻機(jī)。隨后前往比利時(shí)Leuven，拜訪IMEC（Interuniversity Microelectronics Centre，微電子研究中心）。
9月21日，2019世界制造業(yè)大會(huì)制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)專家論壇在合肥召開(kāi)，合肥長(zhǎng)鑫宣布總投資1500億元的合肥長(zhǎng)鑫DRAM芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國(guó)內(nèi)第一代基于10nm級(jí)（19nm）制程工藝的8Gb DDR4內(nèi)存。
朱一明表示，“投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)！
到了今年5月14日，京東上架第一個(gè)純國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存(采用國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)鑫顆粒)——光威弈系列Pro，這是合肥長(zhǎng)鑫的第一個(gè)消費(fèi)級(jí)DRAM芯片產(chǎn)品。
在2016年5月立項(xiàng)到2020年5月14日消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品上市，短短的五年時(shí)間內(nèi)內(nèi)，合肥長(zhǎng)鑫在元件、光罩、設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試領(lǐng)域都積累了許多的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)。
截止到5月19日，公開(kāi)查詢到合肥長(zhǎng)鑫的發(fā)明專利及授權(quán)發(fā)明專利超過(guò)850項(xiàng)，獲得轉(zhuǎn)移專利50余項(xiàng)，在一份“不公布發(fā)明人”的轉(zhuǎn)移專利中，我們看到了一份名為“隔離溝槽的填充方法、設(shè)備及隔離溝槽的填充結(jié)構(gòu)”的專利，這便是現(xiàn)階段合肥長(zhǎng)鑫DRAM芯片的主要技術(shù)之一。
除了自主研發(fā)外，合肥長(zhǎng)鑫的另一個(gè)關(guān)鍵詞是“奇夢(mèng)達(dá)”，這是朱一明歐洲之行的另一個(gè)成果。
技術(shù)是護(hù)城河，資金是助推劑
2006年5月1日，由英飛凌半導(dǎo)體部門分拆而成的新內(nèi)存公司奇夢(mèng)達(dá)成立，并迅速成為全球第二大的DRAM公司、300mm工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者和個(gè)人電腦及服務(wù)器DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)最大的供應(yīng)商之一。
因2008年次貸危機(jī)的影響，奇夢(mèng)達(dá)于2009年1月23日向法院申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)， 4月1日，奇夢(mèng)達(dá)正式進(jìn)入破產(chǎn)清算程序，這個(gè)時(shí)候，它的市場(chǎng)占有率依舊高達(dá)10%，位列當(dāng)時(shí)全球第五大DRAM芯片供應(yīng)商。
奇夢(mèng)達(dá)是DRAM芯片技術(shù)的另一個(gè)流派。
2006年9月18日，奇夢(mèng)達(dá)與南亞（Nanya Technology）合作，宣布推出基于75nm制程工藝的DRAM芯片的全新溝槽式技術(shù)(Trench Wordline Technology)，這完全不同于三星、海力士和鎂光掌握的堆棧式技術(shù)（Stacking Wordline Technology）。
溝槽式的意思就是在記憶體上往下挖，以達(dá)到更大的儲(chǔ)存空間，而堆棧式顧名思義就是在記憶體上面往上堆，以獲得更大的存儲(chǔ)空間。
溝槽式遇到的技術(shù)瓶頸，會(huì)比堆棧式的快，顯然，奇夢(mèng)達(dá)也發(fā)現(xiàn)了這個(gè)情況，隨后，便開(kāi)始了新技術(shù)的研發(fā)。
2008年2月2日，在IEDM2008大會(huì)上，奇夢(mèng)達(dá)提交了名為《6F2 buried wordline DRAM cell for 40nm and beyond》的論文，正式提出了基于40nm級(jí)（實(shí)際是46nm）的埋入式字線技術(shù)(Buried Wordline)，這是一種基于“溝槽式技術(shù)”的技術(shù)變種，實(shí)現(xiàn)方式類似于堆棧式技術(shù)。
這一技術(shù)再一次成為了DRAM芯片發(fā)展史上的重要技術(shù)節(jié)點(diǎn)之一，奇夢(mèng)達(dá)重新將DRAM芯片技術(shù)定義為“埋入式”和“堆棧式”。
4月22日，奇夢(mèng)達(dá)與華邦（Winbond）簽訂65nm 埋入式技術(shù)DRAM芯片技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，該項(xiàng)協(xié)議的重要內(nèi)容便是將奇夢(mèng)達(dá)近期發(fā)表的埋入式DRAM芯片技術(shù)在后期的發(fā)展中納入到華邦以后的生產(chǎn)中，并取代之前的58nm制程技術(shù)。此時(shí)，基于埋入式技術(shù)的46nm制程工藝的開(kāi)發(fā)已經(jīng)完成，但是，危機(jī)已經(jīng)來(lái)臨。
8月12日，華邦與奇夢(mèng)達(dá)再次簽署協(xié)議，不過(guò)這次簽署的是《無(wú)力清償程序和解合約》，協(xié)議顯示，夢(mèng)達(dá)公司并同意放棄于其無(wú)力清償程序中得對(duì)華邦電子所為之主張，華邦電子也同意不繼續(xù)參與奇夢(mèng)達(dá)公司之無(wú)力清償程序。
更重要的是，華邦獲得了奇夢(mèng)達(dá)遺留的46nm技術(shù)，依靠這一技術(shù)，華邦在2011年12月開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)了46nm的DRAM芯片。之后，由于與爾必達(dá)的合作，華邦放棄了DRAM標(biāo)準(zhǔn)件的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)入到消費(fèi)級(jí)DRAM產(chǎn)品的持續(xù)開(kāi)發(fā)中去，直到2017年6月，華邦才將DRAM芯片提升到38nm，之后再無(wú)進(jìn)展。
2015年6月，英飛凌將手中奇夢(mèng)達(dá)的專利轉(zhuǎn)手打包出售，價(jià)格是3000萬(wàn)美元，接手的公司是一家位于加拿大的專利“倒賣”公司，叫Polaris Innovations Limited（北極星公司）。
之后，奇夢(mèng)達(dá)便消失在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)河之中，其技術(shù)再次面世，已經(jīng)是在中國(guó)。
2019年5月15日，合肥長(zhǎng)鑫在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會(huì)上，公布了自己的DRAM技術(shù)來(lái)源，是通過(guò)與奇夢(mèng)達(dá)合作，獲得了一千多萬(wàn)份與DRAM相關(guān)的技術(shù)文件（約2.8TB數(shù)據(jù)），以及16000份專利，具體的合作方式，合肥長(zhǎng)鑫方面并沒(méi)有透露。
這一消息，讓人們知道了合肥長(zhǎng)鑫的技術(shù)來(lái)源和風(fēng)險(xiǎn)規(guī)避，至少，在專利壁壘和技術(shù)門檻極高的半導(dǎo)體行業(yè)，手握專利，吃飯不愁。
2019年12月5日，Polaris Innovations Limited的母公司W(wǎng)i-LAN Inc.將這些專利打包賣給了中國(guó)的合肥長(zhǎng)鑫，雙方均沒(méi)有披露具體的成交金額。
這些知識(shí)產(chǎn)權(quán)由12000多個(gè)專利組成，包括與DRAM、FLASH存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體工藝、半導(dǎo)體制造、光刻、封裝、半導(dǎo)體電路和存儲(chǔ)器接口等相關(guān)的技術(shù)，其中包括約5000多種美國(guó)專利和申請(qǐng)，7000多項(xiàng)國(guó)際性專利和申請(qǐng)，這些專利的平均有效期均超過(guò)4年，也就是說(shuō)，基于奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)專利開(kāi)發(fā)的DRAM芯片，在未來(lái)面臨的市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)，會(huì)小得多。
到了今年4月27日，合肥長(zhǎng)鑫與美國(guó)半導(dǎo)體公司藍(lán)鉑世（Rambus Inc.）——這也是一家專利“倒賣”公司，簽署專利許可協(xié)議，合肥長(zhǎng)鑫從藍(lán)鉑世獲得大量DRAM芯片技術(shù)專利的實(shí)施許可。
專利，成為合肥長(zhǎng)鑫自救的手段之一，當(dāng)然，也不排除有一定的市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)。
有意思的是，在獲得奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)支持后，合肥長(zhǎng)鑫花費(fèi)25億美元的研發(fā)費(fèi)用，在重新設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)后，迅速將奇夢(mèng)達(dá)遺留的46nm技術(shù)，提升到10nm級(jí)（量產(chǎn)19nm，研發(fā)17nm）的水平。
這無(wú)疑又一次說(shuō)明，只有強(qiáng)大的資金實(shí)力，才能成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的玩家。DRAM行業(yè)的三個(gè)玩家，無(wú)一不是這樣發(fā)展起來(lái)的，尤其是三星和海力士。
在前期強(qiáng)大的資金支持下，通過(guò)提供高利潤(rùn)、高附加值的產(chǎn)品，獲得利潤(rùn)后，大規(guī)模投入到新技術(shù)、新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)中去，然后再迅速推出新產(chǎn)品，獲得極大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，完成了良性循環(huán)。
三星如此、臺(tái)積電如此、英特爾如此、高通如此、華為如此，每一個(gè)芯片行業(yè)的玩家，都是從技術(shù)研發(fā)、資金支持走過(guò)來(lái)的，當(dāng)專利越來(lái)越集中、市場(chǎng)越來(lái)越集中的情況下，新進(jìn)入者的門檻越來(lái)越高，法律風(fēng)險(xiǎn)越來(lái)越大，面對(duì)高科技的沖擊就越來(lái)越小心。
因此，新進(jìn)入者們，實(shí)際上最先考慮應(yīng)該是，如何能活下來(lái)，生存，才是他們最大的挑戰(zhàn)。
截止到發(fā)文時(shí)，合肥長(zhǎng)鑫前期投資已經(jīng)超過(guò)500億，而且還在源源不斷的投資中，僅僅是46nm提升到10nm級(jí)，就花費(fèi)了25億美元，以今天的匯率來(lái)看，早就超過(guò)了一期的計(jì)劃投資180億元人民幣，而后期的16nm/14nm/12nm，64層/128層的研發(fā)，還不知道會(huì)花多少錢，規(guī)劃中的二期項(xiàng)目，更是追趕路上要用錢堆出來(lái)的項(xiàng)目。
只有國(guó)家意志的投入，才可能有高科技的產(chǎn)出，這種不計(jì)回收的投資，也只有舉國(guó)之力才可能完成。
追吧，追吧，目標(biāo)就在眼前了
在合肥長(zhǎng)鑫最新公布的產(chǎn)能計(jì)劃中，在2020Q1已經(jīng)達(dá)到4萬(wàn)片/月。到年底一期二階段投產(chǎn)后，計(jì)劃能達(dá)到8萬(wàn)片/月。到2021年Q1時(shí)，一期工程達(dá)到滿產(chǎn)，月產(chǎn)能12萬(wàn)片，基本上能達(dá)到我國(guó)市場(chǎng)的3%，這是從0開(kāi)始的極大進(jìn)步。
在2019年9月20日的中國(guó)制造業(yè)大會(huì)上，合肥長(zhǎng)鑫公布了其技術(shù)發(fā)展計(jì)劃。長(zhǎng)鑫通過(guò)授權(quán)獲得了奇夢(mèng)達(dá)曾經(jīng)的的埋入式字線相關(guān)技術(shù)，并借助從全球招攬的人才和先進(jìn)制造裝備，把奇夢(mèng)達(dá)的46nm平穩(wěn)推進(jìn)到了10nm級(jí)。
與此同時(shí)，合肥長(zhǎng)鑫也已經(jīng)開(kāi)始了HKMG、EUV和GAA等新技術(shù)的研發(fā)，這些技術(shù)研發(fā)的每一步，都是對(duì)國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的追趕。
有意思的是，在未來(lái)的發(fā)展中，這幾個(gè)方向，也是三巨頭著力發(fā)展的方向，合肥長(zhǎng)鑫的基調(diào)，基本上就是試圖在1y nm/128層時(shí)追趕上三巨頭。
而且，在市場(chǎng)上，國(guó)際大廠在市場(chǎng)上圍剿中國(guó)公司突破壟斷產(chǎn)業(yè)時(shí)的殺手锏——價(jià)格戰(zhàn)，在搭載合肥長(zhǎng)鑫DRAM芯片產(chǎn)品上線后，就開(kāi)始上演。
比如長(zhǎng)達(dá)700多天沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)降價(jià)的金士頓內(nèi)存，在光威弈系列Pro上架后，就出現(xiàn)了降價(jià)促銷的情況，雖然這本身就是一個(gè)商家的“促銷行為”，但是這不得不被深受其害的中國(guó)好事者們樂(lè)道，而且，他的價(jià)格很有針對(duì)性，光威中國(guó)芯內(nèi)存不是賣218嗎，我賣215。
追趕、廝殺、超越，無(wú)數(shù)中國(guó)企業(yè)曾經(jīng)踐行過(guò)的道路，正在半導(dǎo)體行業(yè)中上演。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2020-06-02
