NAND閃存：閃迪48層第二代3D NAND閃存即將投產
穎特新訊：全球領先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司（納斯達克股票代碼： SNDK）近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內投入試生產，于2016年進行規(guī)模化商業(yè)生產。
閃迪存儲技術部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術為基礎，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā)，我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊嘆的存儲解決方案！
閃迪計劃將第二代3D NAND技術廣泛地應用于各種解決方案中，范圍涵蓋可移動產品到企業(yè)級SSD。
關于閃迪
SanDisk閃迪公司（NASDAQ:SNDK）是財富500強和標準普爾500強公司，是全球領先的閃存存儲解決方案提供商。在逾26年的時間里，SanDisk擴展了存儲設備的可能性，提供了備受信賴的創(chuàng)新產品，推動了電子行業(yè)的變革。如今，閃迪領先的閃存技術和解決方案在許多全球最大型數(shù)據(jù)中心獲得采用，并嵌入至最先進的智能手機、平板電腦與筆記本電腦中。閃迪在全球擁有數(shù)十萬零售網(wǎng)點，深受全球消費者的喜愛。詳情請見www.sandisk.cn。
本新聞稿含有部分前瞻性陳述，包括對3D NAND技術及其開發(fā)、生產、時間和地址、功能、性能以及使用等的預測，這些陳述基于我們當前的預測，可能存在許多導致這些前瞻性陳述有欠準確的風險和不確定性因素。 可能影響這些前瞻性陳述準確性的風險包括但不限于：
我們的3D NAND技術或我們采用該項新技術的解決方案可能無法按預期交付或性能未達預期；
我們的開發(fā)、生產可能遇到困難或延期，或者由于可接受的3D NAND技術而增加收益，包括建設困難或延期，或者未能成功控制我們與Toshiba合資企業(yè)和戰(zhàn)略合作伙伴相關的其他風險；
或者是在我們向美國證券交易委員會提交的文件和報告中不時提及的其他風險，這些文件和報告包括但不限于我們最新的10-K表年報。我們不會更新本新聞稿所含的信息。
編輯：admin 最后修改時間：2017-08-19
