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三星或壟斷DRAM存儲(chǔ)和NAND閃存市場(chǎng)

關(guān)鍵字:NAND閃存 三星存儲(chǔ) 作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時(shí)間:2018-01-17  瀏覽:27

說起存儲(chǔ),那是中國(guó)芯的一大疼,每年白花花的銀子都給了韓國(guó)三星。據(jù)外媒報(bào)道,經(jīng)過50年的發(fā)展,半導(dǎo)體市場(chǎng)仍然顯得非;钴S,它在2017不安增長(zhǎng)了20%。隨著高增長(zhǎng)而來的是供應(yīng)短缺,這就是DRAM和閃存價(jià)格為什么2017年會(huì)上漲的原因。

NAND閃存

三星在DRAM和閃存市場(chǎng)占有半壁江山。它計(jì)劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍,提高至260億美元。相對(duì)而言,英特爾在2017年的資本支出預(yù)算僅為120億美元,較2016年增長(zhǎng)了25%。事實(shí)上,三星的預(yù)算約為2017年三家大公司英特爾、臺(tái)積電和SK海力士的資本支出預(yù)算的總和。

三星的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手現(xiàn)在面臨著一個(gè)艱難的抉擇。它們要么提高資本支出預(yù)算,保障足夠的供應(yīng)量,從而保有自己的市場(chǎng)份額,要么干脆放棄競(jìng)爭(zhēng),因?yàn)槿歉叩漠a(chǎn)能將會(huì)產(chǎn)生別人難以企及的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。

任何想要追趕三星的公司都面臨著整個(gè)行業(yè)供給過剩、價(jià)格下滑以及虧損擴(kuò)大的問題。半導(dǎo)體工廠必須全負(fù)荷運(yùn)行,才能維持最低的成本,只要價(jià)格能夠支付各種可變開支和固定成本,那就值得繼續(xù)維持工廠運(yùn)轉(zhuǎn)。

但是,如果它們不增加預(yù)算,提高產(chǎn)能,那么它們就可能面臨市場(chǎng)份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的后果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業(yè)能夠?qū)谷。英特爾幾十年前就退出了DRAM業(yè)務(wù)。

英特爾和鎂光依靠其3D XPoint NVRAM(非易失性閃存)可能能夠在DRAM和閃存市場(chǎng)上占有一席之地。但是,這一希望注定落空,因?yàn)樗鼈儧Q定將3D XPoint捆綁到英特爾CPU上。此外,三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購買或獲得授權(quán)使用與NVRAM競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)。

對(duì)于消費(fèi)者來說,一個(gè)利好的消息是:在未來12-18個(gè)月內(nèi),我們應(yīng)該會(huì)看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現(xiàn)。但是,從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看,我們可能會(huì)看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產(chǎn),減緩價(jià)格下降速度以及遏制競(jìng)爭(zhēng)。

以上為穎特新科技的整理,也許存儲(chǔ)芯片希望中國(guó)來打破競(jìng)爭(zhēng)的格局。

編輯:admin  最后修改時(shí)間:2018-01-17

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