什么是MRAM高速內存？它會是DRAM內存接班人嗎？
RAM存儲器自誕生來，已發(fā)展成多個版本，有SRAM、pSRAM、DRAM等，下一個是什么呢？穎特新工程師為你介紹什么是MRAM高速內存。
人們一直以來都覺得電腦開機之后看著Windows進度條一次次劃過，然后點擊登錄、打開桌面這樣的過程是理所當然？之所以每次開機時操作系統(tǒng)都必須重新做一次內存初始化的操作，是因為現(xiàn)在的電腦普遍都是使用動態(tài)隨機存取技術(DRAM)的內存， SDRAM、DDR、DDR2與DDR3都屬于這種內存。使用了DRAM技術的內存的一個關鍵特點就是它們屬于揮發(fā)性內存(volatile memory)，意思就是一旦斷電，它里面的數(shù)據(jù)就會丟失。換言之就是DRAM內存里面的數(shù)據(jù)必須得依靠不斷供電來刷新才得以維持的。
因此，操作系統(tǒng)在每次開機的時候，必須要把一系列系統(tǒng)本身要使用的數(shù)據(jù)再次寫入內存，這就是在開機等待時間里操作系統(tǒng)完成的工作。對于DRAM內存來說，如果要取消這個過程，供內存刷新的電力是不能中斷的。所謂的睡眠(sleep)模式，實際上計算機還在繼續(xù)耗電，只不過是比正常運行時用電量少一些而已。
東芝集團近日在美國佛羅里達州的坦帕市(Tampa)發(fā)布了一種新型內存——磁阻內存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)，它的出現(xiàn)將使得這種情況成為過去。
磁阻內存和DRAM內存的原理完全不同。DRAM內存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來進行的，它不但需要保持通電狀態(tài)，還需要周期性地給電容充電才能保證內容不丟。而磁阻內存的存儲原理則是完全不使用電容，它采用兩塊納米級鐵磁體，在界面上用一個非磁金屬層或絕緣層來夾持一個金屬導體的結構。通過改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導體的磁致電阻(magnetoresistance)就會發(fā)生變化。電阻一旦變大，通過它的電流就會變小，反之亦然。
因此，只需用一個三極管來判斷加電時的電流數(shù)值就能夠判斷鐵磁體磁場方向的兩種不同狀態(tài)來區(qū)分"0"和"1"了。由于鐵磁體的磁性幾乎是永遠不消失的，因此磁阻內存幾乎可以無限次地重寫。而鐵磁體的磁性也不會由于掉電而消失，所以它并不像一般的內存一樣具有揮發(fā)性，而是能夠在掉電以后繼續(xù)保持其內容的。
編輯：admin 最后修改時間：2019-07-09
