乘勝追擊？國(guó)芯替代！華為投資來(lái)了
“充電樁芯片”第一股東微半導(dǎo)在科創(chuàng)板掛牌上市，首日開(kāi)盤(pán)5分鐘漲超13%，市值破百億元，惹來(lái)眾人矚目。
實(shí)際上，東微半導(dǎo)是一家工業(yè)及汽車領(lǐng)域應(yīng)用的半導(dǎo)體企業(yè)，在高壓超級(jí)結(jié)、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領(lǐng)域中，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化。
德系大廠背景，車芯“交集替代”？
據(jù)悉，東微半導(dǎo)的聯(lián)合創(chuàng)始人為龔軼與王鵬飛，2008年9月，龔軼與王鵬飛共同創(chuàng)辦東微有限。
編者查閱資料顯示，龔軼早年便擔(dān)任美國(guó)超微半導(dǎo)體公司工程部工程師。后來(lái)，龔軼轉(zhuǎn)投到德國(guó)英飛凌科技，擔(dān)任技術(shù)專家。
而王鵬飛與龔軼有著相似的經(jīng)歷，王鵬飛早年在德國(guó)英飛凌科技，擔(dān)任存儲(chǔ)器研發(fā)中心研發(fā)工程師一職。關(guān)鍵的是，王鵬飛還擔(dān)任過(guò)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授，是國(guó)家高層次人才特殊支持計(jì)劃領(lǐng)軍人才入選者。
因此，上述兩人年齡背景相仿，在車載芯片上發(fā)生了交集也就不難理解了。在成立東微半導(dǎo)后，龔軼一直做總經(jīng)理，負(fù)責(zé)東微半導(dǎo)的業(yè)務(wù)，王鵬飛則為首席技術(shù)官，帶領(lǐng)劉磊、劉偉及毛振東進(jìn)行研發(fā)。
另外，編者發(fā)現(xiàn)，東微半導(dǎo)核心技術(shù)人員均為半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)畢業(yè)，從事半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)和項(xiàng)目管理工作超過(guò)10年，有著較為豐富的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)和項(xiàng)目管理經(jīng)驗(yàn)。在缺芯潮背景之下，這是對(duì)東微半導(dǎo)業(yè)績(jī)?nèi)缁⑻硪恚?/span>
對(duì)此，編者也留意到，預(yù)計(jì)東微半導(dǎo)2021年度，營(yíng)業(yè)收入為7.72億元至8.03億元，同比增長(zhǎng)150%至160%。顯然，營(yíng)收大增的背后，是新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器等終端市場(chǎng)需求提升，公司產(chǎn)品規(guī)模增長(zhǎng)所致。
不難發(fā)現(xiàn)，東微半導(dǎo)專注新能源汽車直流充電樁、5G基站電源及通信電源等領(lǐng)域，為國(guó)內(nèi)少數(shù)專注工業(yè)級(jí)高壓超級(jí)結(jié)MOSFET領(lǐng)域的高性能功率半導(dǎo)體廠商。
另外，在業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)中，東微半導(dǎo)與士蘭微和新潔能相近。士蘭微主營(yíng)MOSFET、IGBT半導(dǎo)體分立器件；新潔能則做溝槽型功率MOSFET、超級(jí)結(jié)功率MOSFET的。
總的來(lái)說(shuō)，隨著中美貿(mào)易摩擦、自主可控意識(shí)的提升，以及國(guó)內(nèi)下游汽車電子、5G通信、工業(yè)電子等需求的提升，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)將憑借市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，迎來(lái)高速發(fā)展時(shí)期，國(guó)產(chǎn)替代將是大勢(shì)所趨。
硬實(shí)力“吸金”，華為投資借勢(shì)而起？
編者留意到，東微半導(dǎo)此次募投中的研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃在SiC器件、新型硅基高壓功率器件方向進(jìn)行布局，為其可持續(xù)發(fā)展提供更有力的技術(shù)支撐。東微半導(dǎo)提早布局并推出碳化硅功率器件，能夠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)公司產(chǎn)品類型，為客戶提供更加完整的高性能功率器件產(chǎn)品，也將為將來(lái)的發(fā)展提供了更大的想象空間。
除此之外，基于業(yè)內(nèi)獨(dú)創(chuàng)的Tri-gate IGBT技術(shù)，東微半導(dǎo)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性地提出了Hybrid-FET器件結(jié)構(gòu)，該器件在大幅提高功率器件功率密度的同時(shí)，能夠維持較高的開(kāi)關(guān)速度，可明顯提升系統(tǒng)效率。
因此，從東微半導(dǎo)的招股書(shū)和以往公開(kāi)的資料，也發(fā)現(xiàn)多項(xiàng)令人意外的技術(shù)亮點(diǎn)，也就不難理解這家素來(lái)低調(diào)的公司為何同時(shí)被眾多大資本看中。
實(shí)際上，與比亞迪半導(dǎo)體一樣，作為炙手可熱的車載芯片，東微半導(dǎo)IPO備受矚目，其背后的投資陣容非常亮眼，包含了哈勃投資、中芯聚源、中興創(chuàng)投以及元禾控股等，而隨著東微半導(dǎo)的上市，哈勃投資獲得了多倍回報(bào)。
當(dāng)然，這不是哈勃投資第一次在VC投資上，獲取豐厚回報(bào)。
編者也發(fā)現(xiàn)，自哈勃投資成立以來(lái)，或已經(jīng)拿下6個(gè)IPO，此前不久哈勃投資押中的天岳先進(jìn)也在科創(chuàng)板掛牌上市。隨著天岳先進(jìn)的上市，哈勃投資在這筆投資中，回報(bào)倍數(shù)達(dá)到20倍。
此外，思瑞浦、燦勤科技、東芯股份、炬光科技，均是哈勃投資投出的IPO；蛟S是VC投資做的“風(fēng)生水起”，哈勃投資也正式進(jìn)軍私募。
總的來(lái)說(shuō)，東微半導(dǎo)順利打造出高性能的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET，憑借著獨(dú)創(chuàng)的Tri-gate IGBT技術(shù)，東微半導(dǎo)又順利進(jìn)入IGBT市場(chǎng)，并開(kāi)發(fā)出第三代半導(dǎo)體芯片。相信東微半導(dǎo)成功IPO之后，有更大作為。
而截至目前，哈勃投資的公司中，納芯微、好達(dá)電子、長(zhǎng)光華芯等均已經(jīng)過(guò)會(huì)。乘著相關(guān)投資企業(yè)東風(fēng)之下，可以預(yù)見(jiàn)，一個(gè)“硬科技VC”巨頭也正在崛起。
編輯：ZQY 最后修改時(shí)間：2022-08-19
