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語(yǔ)言
獨(dú)石電容器是什么？是MLCC。什么是MLCC？MLCC即是多層陶瓷電容器，亦稱為片式電容器；積層電容；疊層電容等，屬陶瓷電容器的一種，MLCC是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)一次高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再芯片的兩端封上金屬層（外電極）,形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)[詳細(xì)]
y2電容是屬于安規(guī)電容的一種，這種電容與瓷片電容以及y1電容有著本質(zhì)區(qū)別。尤其是與y1電容來(lái)說(shuō)，雖然都是屬于安規(guī)電容，但是卻還是有一定區(qū)別的。先一起來(lái)看一下y2電容與Y1以及瓷片電容的區(qū)別所在。瓷片電容主要針對(duì)于高頻，高壓瓷片電容取決于使用在什么場(chǎng)合，典型作用可以消除高頻干擾。相對(duì)來(lái)說(shuō)，容量損耗隨[詳細(xì)]
不同的濾波電路，對(duì)電容的大小需求也不一樣。高頻濾波電路宜使用小容量電容，而低頻濾波電路則需要大容量電容。使用小容量電容器的超高頻濾波電路，大多使用瓷片電容；而使用大容量電容器的低頻濾波電路，都使用電解電容。瓷片電容是“平板”結(jié)構(gòu)的電容，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是兩個(gè)平行金[詳細(xì)]
安規(guī)X2電容是安規(guī)電容的一種，安規(guī)電容是指用于這樣的場(chǎng)合，即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全，也叫安全電容。必須獲得安規(guī)認(rèn)證。隨著科技發(fā)展的需求，安規(guī)X2電容在電子市場(chǎng)的需求與日俱增，安規(guī)X2電容也隨著各類科技產(chǎn)品走進(jìn)千家萬(wàn)戶。安規(guī)X2電容規(guī)格型號(hào)多，規(guī)格不同，相對(duì)[詳細(xì)]
獨(dú)石電容器是什么？是MLCC。什么是MLCC？MLCC即是多層陶瓷電容器，亦稱為片式電容器；積層電容；疊層電容等，屬陶瓷電容器的一種，MLCC是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)一次高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再芯片的兩端封上金屬層（外電極）,形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)[詳細(xì)]
壓敏電阻意思是：在一定電流電壓范圍內(nèi)電阻值隨電壓而變，或者是：電阻值對(duì)電壓敏感的阻器。英文簡(jiǎn)稱為VDR。壓敏電阻工作于漏電流區(qū)，呈現(xiàn)很大的電阻，漏電流很；當(dāng)電壓升高進(jìn)入非線性區(qū)后，電流在相當(dāng)大的范圍內(nèi)變化時(shí)，電壓變化不大，呈現(xiàn)羅好的限壓特性；電壓再升高，壓敏電阻進(jìn)入飽[詳細(xì)]
y電容是什么？y電容器作為電子元器件應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源中，起到一個(gè)保護(hù)作用，即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全。y電容除符合相應(yīng)的電網(wǎng)電壓耐壓外，還要求這種電容器在電氣和機(jī)械性能方面有足夠的安全余量，避免在極端惡劣環(huán)境條件下出現(xiàn)擊穿短路現(xiàn)象，y電容的耐壓性能對(duì)保護(hù)人身安全具有重要意義。[詳細(xì)]
高壓陶瓷電容器作為高壓電容系列之一，已被廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品中。高壓陶瓷電容器仍然會(huì)有被擊穿的現(xiàn)象。導(dǎo)致高壓陶瓷電容器擊穿的原因都有哪些呢？ 造成高壓陶瓷電容器被擊穿的因素有很多，按照其導(dǎo)致的因素，可以將擊穿情況分為：電壓擊穿；熱擊穿；過(guò)電流擊穿；電磁場(chǎng)強(qiáng)擊穿等[詳細(xì)]
安規(guī)是什么？安規(guī)電容是指用于這樣的場(chǎng)合，即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全。它包括X電容各Y電容兩種類型。國(guó)家科技發(fā)展，做為電子器件中的安規(guī)電容在科技產(chǎn)品廣泛應(yīng)用，時(shí)刻守護(hù)使用者的安全。那安規(guī)電容什么牌子好呢？小編想說(shuō)，安規(guī)電容當(dāng)屬JEC品牌好。為什么這么說(shuō)呢JE[詳細(xì)]
瓷片電容用陶瓷作為電介質(zhì)，在陶瓷基體兩面噴涂銀層，然后經(jīng)低溫?zé)摄y質(zhì)薄膜作極板而制成。它的外形以片式居多，也有管形、圓形等形狀。穎特新電子的瓷片電容一般都是圓形的藍(lán)色本體。所以，瓷片電容又稱圓片瓷介電容，又分為高壓瓷片電容和低壓瓷片電容。222 1KV是高壓瓷片電容。常用的瓷[詳細(xì)]
安規(guī)電容是指用于這樣的場(chǎng)合，即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全。它包括X電容各Y電容兩種類型，x電容是跨接在電力線兩線（L-N）之間的電容，一般選用金屬薄膜電容；Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間（L-E，N-E）的電容，一般是成對(duì)出現(xiàn)。基于漏電流的限制，Y電容值不能太[詳細(xì)]
壓敏電阻意思是在一定電流電壓范圍內(nèi)電阻值隨電壓而變，也可以說(shuō)是電阻值對(duì)電壓敏感的阻器。相應(yīng)的英文名是“Voltage Dependent Resistor”簡(jiǎn)寫(xiě)為“VDR”，在臺(tái)灣，壓敏電阻是按用途來(lái)命名，稱為突波吸收器，或電沖擊（浪涌）抑制器（吸收器）。在電子科技發(fā)展的今天[詳細(xì)]
CBB電容的組成原理其實(shí)比較簡(jiǎn)單，就是兩塊平行帶點(diǎn)板，中間絕緣介質(zhì)組成芯子，兩塊板各有一個(gè)引出，即兩電極。CBB為聚丙烯薄膜電容器，主要有以下優(yōu)點(diǎn)：1、損耗極低；2、介質(zhì)吸收系數(shù)低；3、絕緣電阻高；4、頻率特性好；5、自愈性優(yōu)異，穩(wěn)定性高。應(yīng)用范圍： 高頻脈沖場(chǎng)合、交流場(chǎng)合、高穩(wěn)[詳細(xì)]
瓷片電容做為電子元器件，早已出現(xiàn)在各類電子產(chǎn)品中，應(yīng)用極為廣泛。什么是瓷片電容？瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路的電容器及墊整電容器，按容量分為可調(diào)堦的可變電容器?a title="瓷片電容有什么特點(diǎn)" href="http://tjeye.net/zurong/48963.shtml" class="float-end">[詳細(xì)]
在電子科技發(fā)展的今天，07D471k壓敏電阻已被廣泛使用。壓敏電阻器的失效模式通常是短路，使用不當(dāng)，壓敏電阻會(huì)因失效造成電源短路而起火。07D471k壓敏電阻通過(guò)的電流過(guò)大時(shí)，才有可能造成閥片炸裂。壓敏電阻的使用壽命較短，多次沖擊后性能會(huì)下降。壓敏電阻的突破承受能力取決于它的物理尺[詳細(xì)]
瓷片電容是電子元器件的一種，主要由陶瓷的材料做成的隔離介子，屬于絕緣體。瓷片電容又稱圓片瓷介電容，分為高壓瓷片電容和低壓瓷片電容。瓷片電容的優(yōu)點(diǎn)主要有耐溫，用時(shí)持久，價(jià)格便宜。應(yīng)用領(lǐng)域比較廣泛，大量用于中大型電子設(shè)備和微小型單片機(jī)。瓷片電容222，首先是要看用在什么設(shè)備[詳細(xì)]
高壓221瓷片電容1kv是可以用3kv代替的。容量相同，電壓不同，電壓高于原來(lái)的即可。高壓瓷片電容器，就是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器。高壓瓷片電容器一個(gè)主要的特點(diǎn)就是耐壓高，2KV、3KV電壓很常見(jiàn)。常用于高壓場(chǎng)合。陶瓷有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，I類瓷，NP0，溫度特性，頻率特性和電壓特性佳，因介電常數(shù)不[詳細(xì)]
為了降低成本，獲取電子市場(chǎng)更加優(yōu)異的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，阻容降壓電路運(yùn)用越來(lái)越廣泛，對(duì)于阻容降壓電容器的需求更加旺盛，隨之而來(lái)的，阻容降壓電路對(duì)于阻容降壓電容器的特性要求也非常嚴(yán)格。在阻容降壓電路中，實(shí)際上就是恒流性質(zhì)的電源，其恒流值和電容容量有關(guān)，“電流會(huì)隨著工作溫度的[詳細(xì)]
薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容，是現(xiàn)在市面上廣泛運(yùn)用的一種[詳細(xì)]
高壓陶瓷電容的介質(zhì)強(qiáng)度表示的是介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場(chǎng)作用而不被電擊穿的能力，通常用伏特/密爾（V/mil)或伏特/厘米（V/cm)表示。當(dāng)外電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到 某一臨界值時(shí)，材料晶體點(diǎn)陣中的電 子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場(chǎng)致電子發(fā)射，產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致[詳細(xì)]
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