X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案
中國(guó)北京，2024年5月21日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。
XP018平臺(tái)作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C至175°C的寬溫度范圍，并提供一系列可選的器件和模塊——包括高增益雙極器件、標(biāo)準(zhǔn)和高電容密度MIM電容器、多閾值（Vt）選項(xiàng)、肖特基二極管和耗盡型器件。
該平臺(tái)搭載高可靠性汽車NVM解決方案，如嵌入式閃存（Eflash）、EEPROM和OTP，專為成本敏感型和穩(wěn)健型汽車、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
除了新推出的40V/60V器件外，該平臺(tái)還加入了5.3V齊納二極管，進(jìn)一步提升其性能。此款全新低漏電流的齊納二極管專為關(guān)鍵應(yīng)用中的柵氧提供有效保護(hù)，如寬帶隙柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用等。此外，其還提供一系列最高電壓高達(dá)24V的新型隔離漏極高壓器件和中閾值電壓選項(xiàng)的1.8V MOS器件。
X-FAB高壓產(chǎn)品線經(jīng)理Tilman Metzger表示：“我們XP018平臺(tái)的此次升級(jí)，展現(xiàn)X-FAB致力于加強(qiáng)成熟技術(shù)方面的決心。XP018平臺(tái)已投產(chǎn)超過(guò)十年，并且仍然在汽車、工業(yè)和醫(yī)療等我們重點(diǎn)關(guān)注細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的新設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。這些極具競(jìng)爭(zhēng)力的高壓器件及其更新將使我們的客戶能夠打造更具創(chuàng)新性和成本效益的產(chǎn)品。采用全新XP018基礎(chǔ)器件的設(shè)計(jì)人員可以獲得Cadence、Siemens EDA、Synopsys等各主要EDA平臺(tái)全面的PDK支持，確保在各類應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)無(wú)縫集成與優(yōu)化！
全新中閾值標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)預(yù)計(jì)將于2024年第三季度發(fā)布。更多關(guān)于XP018平臺(tái)的詳細(xì)信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：https://www.xfab.com/technology/high-voltage
縮略語(yǔ)：
CMOS 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
DMOS 雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體
PDK 工藝設(shè)計(jì)套件
RDSon 導(dǎo)通電阻
SOA 安全工作區(qū)
SOI 絕緣體上硅
關(guān)于X-FAB：
X-FAB是領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)和MEMS晶圓代工集團(tuán)，生產(chǎn)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)、醫(yī)療和其它應(yīng)用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0μm至110nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）長(zhǎng)壽命工藝，為全球客戶打造最高的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、卓越的制造工藝和創(chuàng)新的解決方案。X-FAB的模擬數(shù)字集成電路（混合信號(hào)IC）、傳感器MEMS在德國(guó)、法國(guó)、馬來(lái)西亞和美國(guó)的六家生產(chǎn)基地生產(chǎn)，并在全球擁有約4,500名員工。
編輯：zqy 最后修改時(shí)間：2024-05-23
