意法半導(dǎo)體MasterGaN4器件
意法半導(dǎo)體的MasterGaN4功率封裝集成了兩個(gè)具有225mΩRDS（on）的對(duì)稱650V GaN功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)，可簡(jiǎn)化高達(dá)200W的高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體的MasterGaN系列的最新成員，MasterGaN4消除了復(fù)雜的柵極控制和電路布局挑戰(zhàn)，從而簡(jiǎn)化了使用寬帶隙GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)。通過(guò)輸入耐壓范圍為3.3V至15V的電壓，可以將封裝直接連接到霍爾效應(yīng)傳感器或CMOS器件（例如微控制器，DSP或FPGA）來(lái)控制MasterGaN4。
利用GaN晶體管出色的開(kāi)關(guān)性能所帶來(lái)的更高工作頻率，以及提高的效率以減少散熱，設(shè)計(jì)人員可以選擇小型磁性元件和散熱器來(lái)構(gòu)建更緊湊，更輕便的電源，充電器和適配器。MasterGaN4非常適合用于對(duì)稱半橋拓?fù)湟约败涢_(kāi)關(guān)拓?fù)，例如有源鉗位反激式和有源鉗位正激式。
寬電源電壓范圍為4.75V至9.5V，可方便地連接到現(xiàn)有電源軌。內(nèi)置保護(hù)進(jìn)一步簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，包括柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖，低側(cè)和高側(cè)欠壓鎖定（UVLO）以及過(guò)熱保護(hù)。還有一個(gè)專用的關(guān)斷引腳。
作為此次發(fā)布的一部分，ST還推出了專用的原型板（EVALMASTERGAN4），該板提供了一套完整的功能，可通過(guò)單個(gè)或互補(bǔ)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)MasterGaN4。還提供了一個(gè)可調(diào)的死區(qū)時(shí)間發(fā)生器。該電路板使用戶可以靈活地應(yīng)用單獨(dú)的輸入信號(hào)或PWM信號(hào)，插入外部自舉二極管，分離邏輯和柵極驅(qū)動(dòng)器電源軌，以及使用一個(gè)低側(cè)并聯(lián)電阻器來(lái)實(shí)現(xiàn)峰值電流模式拓?fù)洹?br />
MasterGaN4現(xiàn)已開(kāi)始生產(chǎn)，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，爬電距離超過(guò)2mm，可在高壓應(yīng)用中安全使用。
編輯：ls 最后修改時(shí)間：2022-06-27
