ST意法半導(dǎo)體 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?br />ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時(shí)間(trr)，以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)x Qg)，能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用。該產(chǎn)品系列提供了廣泛的封裝選項(xiàng)，包括長引線 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
最新的快速恢復(fù)體二極管超結(jié)MOSFET技術(shù)針對(duì)要求嚴(yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化。
STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的擊穿電壓范圍600 - 650V，降低了反向恢復(fù)效應(yīng)，提升了最高允許di/dt和dv/dt。具有極低的通態(tài)電阻(RDS(on))和柵電荷(Qg)，與同類競(jìng)爭(zhēng)器件和意法半導(dǎo)體先前的技術(shù)相比，幫助設(shè)計(jì)人員獲得了更高的效率水平。
關(guān)鍵特性
行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qg)
體二極管反向恢復(fù)時(shí)間(trr)性能提高
提高了dv/dt(120V/ns)和di/dt能力(1300A/μs)
優(yōu)化了體二極管恢復(fù)階段和平緩性
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編輯：zzy 最后修改時(shí)間：2022-06-20
