您好，歡迎進(jìn)入深圳市穎特新科技有限公司官方網(wǎng)站！
您好，歡迎進(jìn)入深圳市穎特新科技有限公司官方網(wǎng)站！
RAM（Random Access Memory）的全名為隨機(jī)存取記憶體，它相當(dāng)于PC機(jī)上的移動(dòng)存儲(chǔ)，用來(lái)存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)的。它在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)（可稱作系統(tǒng)內(nèi)存）。
不過(guò)，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)，如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入到一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)器中（例如硬盤）。正因?yàn)槿绱，有時(shí)也將RAM稱作“可變存儲(chǔ)器”。RAM內(nèi)存可以進(jìn)一步分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)內(nèi)存（DRAM）兩大類。DRAM由于具有較低的單位容量?jī)r(jià)格，所以被大量的采用作為系統(tǒng)的主記憶。
ROM（Read Only Memory）的全名為唯讀記憶體，它相當(dāng)于PC機(jī)上的硬盤，用來(lái)存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)。ROM數(shù)據(jù)不能隨意更新，但是在任何時(shí)候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留數(shù)據(jù)。但是資料一但寫入后只能用特殊方法或根本無(wú)法更改，因此ROM常在嵌入式系統(tǒng)中擔(dān)任存放作業(yè)系統(tǒng)的用途，F(xiàn)在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。
RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM就不會(huì)。由于ROM不易更改的特性讓更新資料變得相當(dāng)麻煩，因此就有了Flash Memory的發(fā)展 ，F(xiàn)lash Memory具有ROM不需電力維持資料的好處，又可以在需要的時(shí)候任意更改資料 ，不過(guò)單價(jià)也比普通的ROM要高。
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過(guò)它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。
SRAM
利用寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
SRAM速度非？，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM）保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過(guò)它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。
DRAM分為很多種，常見(jiàn)的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。
DRAM
利用MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息，一旦掉電信息會(huì)全部的丟失，由于柵極會(huì)漏電，所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新，所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。由于它只使用一個(gè)MOS管來(lái)存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。
SDRAM比它多了一個(gè)與CPU時(shí)鐘同步
DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢(shì)，事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－Rambus
DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR
RAM來(lái)提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
內(nèi)存工作原理：內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的"動(dòng)態(tài)"，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。
具體的工作過(guò)程是這樣的：一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無(wú)電荷代表0。但時(shí)間一長(zhǎng)，代表1的電容會(huì)放電，代表0的電容會(huì)吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿電量的1／2，則認(rèn)為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1／2，則認(rèn)為其代表0，并把電容放電，藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
ROM的分類
ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區(qū)別是，
PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無(wú)法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了，而EPROM是通過(guò)紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲(chǔ)器。
另外一種EEPROM是通過(guò)電子擦出，價(jià)格很高，寫入時(shí)間很長(zhǎng)，寫入很慢。
舉個(gè)例子，手機(jī)軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號(hào)碼，暫時(shí)是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過(guò)記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長(zhǎng)的等待是讓用戶忍無(wú)可忍的。
FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢(shì)），U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過(guò)去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備，然而近年來(lái)Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（U盤）。
目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN
Flash。
NOR Flash的讀取和我們常見(jiàn)的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。
NAND
Flash沒(méi)有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND
Flash上的代碼，因此好多使用NAND
Flash的開(kāi)發(fā)板除了使用NAND
Flash以外，還作上了一塊小的NOR
Flash來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。
一般小容量的用NOR Flash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NAND
FLASH，最常見(jiàn)的NAND
FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC（Disk On
Chip）和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。
在嵌入式開(kāi)發(fā)中，如uboot的移植，kernel的移植都需要對(duì)Flash 有基本的了解。下面細(xì)說(shuō)一下標(biāo)題中的中Flash中的關(guān)系
一，F(xiàn)lash的內(nèi)存存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同，分為兩種：nor flash和nand flash。
NorFLASH使用方便，易于連接，可以在芯片上直接運(yùn)行代碼，穩(wěn)定性出色，傳輸速率高，在小容量時(shí)有很高的性價(jià)比，這使其很適合應(yīng)于嵌入式系統(tǒng)中作為 FLASH ROM。
相對(duì)于NorFLASH，NandFLASH強(qiáng)調(diào)更高的性能，更低的成本，更小的體積，更長(zhǎng)的使用壽命。這使NandFLASH很擅于存儲(chǔ)純資料或數(shù)據(jù)等，在嵌入式系統(tǒng)中用來(lái)支持文件系統(tǒng)。
1，Nand Flash
在工藝制程方面分NAND flash有兩種類型：MLC和SLC。MLC和SLC屬于兩種不同類型的NAND FLASH存儲(chǔ)器。
SLC全稱是Single-Level Cell，即單層單元閃存，而MLC全稱則是Multi-Level Cell，即為多層單元閃存。
它們之間的區(qū)別，在于SLC每一個(gè)單元，只能存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)，MLC每一個(gè)單元可以存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)，MLC的數(shù)據(jù)密度要比SLC 大一倍。在頁(yè)面容量方面分NAND也有兩種類型：大頁(yè)面NAND flash（如：HY27UF082G2B）和小頁(yè)面NAND flash（如:K9F1G08U0A）。
這兩種類型在頁(yè)面容量，命令序列、地址序列、頁(yè)內(nèi)訪問(wèn)、壞塊標(biāo)識(shí)方面都有很大的不同，并遵循不同的約定所以在移植驅(qū)動(dòng)時(shí)要特別注意。
2，Nor Flash
在通信方式上Nor Flash 分為兩種類型：CFI Flash和 SPI Flash。
a，CFI Flash
英文全稱是common flash interface,也就是公共閃存接口，是由存儲(chǔ)芯片工業(yè)界定義的一種獲取閃存芯片物理參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)的操作規(guī)程和標(biāo)準(zhǔn)。CFI有許多關(guān)于閃存芯片的規(guī)定，有利于嵌入式對(duì)FLASH的編程，F(xiàn)在的很多NOR FLASH 都支持CFI，但并不是所有的都支持。
CFI接口，相對(duì)于串口的SPI來(lái)說(shuō)，也被稱為parallel接口，并行接口；另外，CFI接口是JEDEC定義的，所以，有的又成CFI接口為JEDEC接口。所以，可以簡(jiǎn)單理解為：對(duì)于Nor Flash來(lái)說(shuō)，CFI接口＝JEDEC接口＝Parallel接口 = 并行接口
b，SPI Flash
serial peripheral interface串行外圍設(shè)備接口,是一種常見(jiàn)的時(shí)鐘同步串行通信接口。
c，CFI Flash 和 SPI Flash 比較
SPI flash和 CFI Flash 的介質(zhì)都是Norflash ，但是SPI 是通過(guò)串行接口來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)操作，而 CFI Flash 則以并行接口進(jìn)行數(shù)據(jù)操作，SPI容量都不是很大，市場(chǎng)上 CFI Flash 做大可以做到128Mbit，而且讀寫速度慢，但是價(jià)格便宜，操作簡(jiǎn)單。而parallel接口速度快，容量上市場(chǎng)上已經(jīng)有1Gbit的容量，價(jià)格昂貴
快閃存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：Flash Memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯?chǔ)器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，以及在電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲(chǔ)存卡與U盤。閃存是非易失性的存儲(chǔ)器，所以單就保存數(shù)據(jù)而言, 它是不需要消耗電力的。
與硬盤相比，閃存也有更佳的動(dòng)態(tài)抗震性。這些特性正是閃存被移動(dòng)設(shè)備廣泛采用的原因。閃存還有一項(xiàng)特性：當(dāng)它被制成儲(chǔ)存卡時(shí)非？煽浚词菇谒幸沧阋缘挚垢邏号c極端的溫度。閃存的寫入速度往往明顯慢于讀取速度。
NOR Flash需要很長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)行抹寫，但是它提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的任何區(qū)域，這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。當(dāng)時(shí)ROM芯片主要用來(lái)存儲(chǔ)幾乎不需更新的代碼，例如電腦的BIOS或機(jī)上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一萬(wàn)到一百萬(wàn)次抹寫循環(huán)，它同時(shí)也是早期的可移除式快閃存儲(chǔ)媒體的基礎(chǔ)。CompactFlash本來(lái)便是以NOR Flash為基礎(chǔ)的，雖然它之后跳槽到成本較低的 NAND Flash。
NAND Flash式東芝在1989年的國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)(ISSCC)上發(fā)表的， 要在NandFlash上面讀寫數(shù)據(jù)，要外部加主控和電路設(shè)計(jì)。。NAND Flash具有較快的抹寫時(shí)間, 而且每個(gè)存儲(chǔ)單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲(chǔ)密度與較低的每比特成本。同時(shí)它的可抹除次數(shù)也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口并沒(méi)有隨機(jī)存取外部地址總線，它必須以區(qū)塊性的方式進(jìn)行讀取，NAND Flash典型的區(qū)塊大小是數(shù)百至數(shù)千比特。
因?yàn)槎鄶?shù)微處理器與微控制器要求字節(jié)等級(jí)的隨機(jī)存取，所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程序的ROM。從這樣的角度看來(lái)，NAND Flash比較像光盤、硬盤這類的次級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備。NAND Flash非常適合用于儲(chǔ)存卡之類的大量存儲(chǔ)設(shè)備。第一款創(chuàng)建在NAND Flash基礎(chǔ)上的可移除式存儲(chǔ)媒體是SmartMedia，此后許多存儲(chǔ)媒體也跟著采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。
eMMC (Embedded Multi Media Card) 為MMC協(xié)會(huì)所訂立的，eMMC 相當(dāng)于 NandFlash+主控IC ，對(duì)外的接口協(xié)議與SD、TF卡一樣，主要是針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器，它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存，使得手機(jī)廠商就能專注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的其它部分，并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間。這些特點(diǎn)對(duì)于希望通過(guò)縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來(lái)說(shuō)，同樣的重要。
eMMC由一個(gè)嵌入式存儲(chǔ)解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲(chǔ)器設(shè)備（Nand Flash）及主控制器，所有都在一個(gè)小型的BGA 封裝。接口速度高達(dá)每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升級(jí)的性能。同時(shí)其接口電壓可以是 1.8v 或者是 3.3v。
掃碼關(guān)注我們
傳真：0755-82591176
郵箱：vicky@yingtexin.net
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道民治大道973萬(wàn)眾潤(rùn)豐創(chuàng)業(yè)園A棟2樓A08
