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最近一直在想N76E003和STM8M003的對(duì)比情況，在網(wǎng)上找了不少資料，看了不少文檔，具體總結(jié)如下：
STM8S003F3P6：一共20個(gè)腳,最多支持16個(gè)GPIO,支持16個(gè)外部中斷；2個(gè)16位定時(shí)器[TIM1/TIM2],最多可以輸出3路PWM信號(hào)；5個(gè)ADC通道,支持SPI/I2C/UART；8KBYTE FLASH,1K RAM,128 BYTE EEPROM；還有內(nèi)置16M 高速振蕩器，WDG等等。
單從器件的性能上來看：新唐的N76E003AT20相比之下更具備經(jīng)典的優(yōu)勢：
• 1T/8051 ：1T超值單片機(jī)，8051我們更熟悉的經(jīng)典內(nèi)核；
• 18KB Flash ROM：優(yōu)于8KB Flash，而且18KB的閃存空間，全部都可以作為資料存儲(chǔ)空間應(yīng)用；
• 1024B SRAM ；
• 17個(gè)+1個(gè)輸入口：優(yōu)于最多支持16個(gè)GPIO；
• 2*UART, I2C ,SPI ：優(yōu)于SPI/I2C/UART(多一個(gè)UART)；
• 8ch of 12bit ADC ：優(yōu)于5通道10bit ADC ；
• 6ch of individual duty PWM ：優(yōu)于3路PWM輸出；
• 10KHz LIRC for WDT reset / WKT ；
• 16MHz HIRC ±1% Room temp. ±2% full condition；
• -40~105 ℃ 溫度范圍更寬；
• 2.4V至5.5V更寬的供電電壓范圍；
• TSSOP20 / QFN20；
• ESD＆EFT：HBM/8KV MM/400V,Over 4KV，優(yōu)異的ESD和EFT，抗干擾和ESD防護(hù)能力；
一．N76E003 和STM8S003F3 的管腳圖對(duì)比
不過標(biāo)注的地方要注意一下，比如8腳和4腳。
N76E003 的開發(fā)板
STM8S003 的開發(fā)板
二．N76E003 和STM8S003F3 的特性對(duì)比
關(guān)于一些引腳符號(hào)，在這里有一些說明：
VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件內(nèi)部的工作電壓；
VCC：C=circuit 表示電路的意思, 即接入電路的電壓；
VSS：S=series 表示公共連接的意思，通常指電路公共接地端電壓；
GND(Ground)代表地線或0線.GND就是公共端的意思，也可以說是地，但這個(gè)地并不是真正意義上的地。是出于應(yīng)用而假設(shè)的一個(gè)地，對(duì)于電源來說，它就是一個(gè)電源的負(fù)極。它與大地是不同的。有時(shí)候需要將它與大地連接，有時(shí)候也不需要，視具體情況而定。
VDD/VSS引腳用于給內(nèi)部主電壓調(diào)節(jié)器(MVR)和內(nèi)部低功耗電壓(LPVR)調(diào)節(jié)器供電。這兩個(gè)調(diào)節(jié)器的輸出連接在一起，向MCU的核(CPU，F(xiàn)LASH和RAM)提供1.8V電源(V18)。
在低功耗模式下，系統(tǒng)會(huì)將供電電源從MVR自動(dòng)切換到LPVR以減少電流消耗。
為穩(wěn)定MVR，在VCAP引腳必須連接一個(gè)電容。該電容應(yīng)該擁有較低的等效串聯(lián)電阻值(ESR)，電容最小的推薦容值為470nF。
根據(jù)封裝的大小，可能有一對(duì)或兩對(duì)特定的VDDIO/VSSIO來給I/O供電。
VDDA/VSSA和VREF+/VREF-都和ADC模塊相連接。
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