勢壘電容和擴散電容是相扶相持的
不同類型的電容器作用是不同的，但是無論是任何一種電容都是需要其他電容輔助的。就拿勢壘電容和擴散電容來說，就是相扶相持的，兩者是必不可少的搭檔。不妨一起來了解一下兩者究竟有著怎樣的相輔相成的吧。
在積累空間電荷的勢壘區(qū)，當PN結外加電壓變化時，引起積累在勢壘區(qū)的空間電荷的變化，即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少，這種現象與電容器的充、放電過程相同。耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢壘電容。勢壘電容具有非線性，它與結面積、耗盡層寬度、半導體的介電常數及外加電壓有關。勢壘電容是二極管的兩極間的等效電容組成部分之一，另一部分是擴散電容。勢壘電容在正偏和反偏時均不能忽略。而反向偏置時，由于少數載流子數目很少，可忽略擴散電容。
不過，實際上p-n結在較大正偏時所表現出的電容，主要不是勢壘電容，而往往是所謂擴散電容。所以對于勢壘電容和擴散電容來說，兩者哪個是主角關鍵要看實際情況，而并非是絕對性的。正是因為如此，所以說兩者是相輔相承的。
值得注意的是，勢壘電容是相應于多數載流子電荷變化的一種電容效應，因此勢壘電容不管是在低頻、還是高頻下都將起到很大的作用(與此相反，擴散電容是相應于少數載流子電荷變化的一種電容效應，故在高頻下不起作用)。實際上，半導體器件的最高工作頻率往往就決定于勢壘電容。
通過穎特新工程師以上的介紹，大家對于勢壘電容和擴散電容相輔相承這樣的說法是否有所了解了呢？
編輯：admin 最后修改時間：2018-03-02
