美光首個(gè) 3D NAND 芯片送樣，打破三星獨(dú)霸局面
內(nèi)存的3DNAND Flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打！目前3DNAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn)。
TechRadar、ComputerWorld報(bào)導(dǎo)，美光9日宣布開(kāi)發(fā)出該公司第一款3D NAND芯片，采48層堆疊，容量為32GB。這款3D NAND將用于中高端智能手機(jī)，支持全新的儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)UFS2.1。
美光宣稱，新品效能比前代提升40%，尺寸更是業(yè)界最小，美光的3D NAND晶粒（die）比相同效能的平面NAND晶粒，體積縮小30%。新品已送樣給移動(dòng)設(shè)備廠，預(yù)定今年底廣泛出貨。
美光移動(dòng)業(yè)務(wù)部門發(fā)言人DanBingham說(shuō)，該公司第二代3DNAND將為64層，研發(fā)時(shí)程尚未公布。為了支持虛擬現(xiàn)實(shí)和串流影片需求，移動(dòng)設(shè)備的內(nèi)存容量不斷增加，美光預(yù)估，2020年智能手機(jī)的內(nèi)建內(nèi)存或許會(huì)有1TB，和電腦差不多。
霸榮（Barronˋs）9日刊出Pacific Crest報(bào)告，內(nèi)容預(yù)測(cè)3D NAND時(shí)代將要到來(lái)。報(bào)告稱，英特爾、美光、SK海力士（SK Hynix）、東芝、Western Digital的3D NAND應(yīng)該很快就會(huì)上市。估計(jì)第三、四季3DNAND產(chǎn)品將會(huì)大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒，東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
Pacific Crest認(rèn)為，3D NAND戰(zhàn)役中，美光情勢(shì)有利。該公司的3D NAND盡管層數(shù)較少，但是密度高，而且美光無(wú)可損失。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
