獨(dú)石電容生產(chǎn)工藝流程簡介
獨(dú)石電容也叫MLCC，即是多層陶瓷電容器，亦稱為片式電容器；積層電容；疊層電容等，屬陶瓷電容器的一種，MLCC是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)一次高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再芯片的兩端封上金屬層（外電極），形成一個類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，也就是我們常稱的“獨(dú)石電容器”。
下面我們一起了解下獨(dú)石電容的生產(chǎn)流程
一：配料，將陶瓷粉和粘合劑及溶劑等按一定比例經(jīng)過球磨一定時間，形成陶瓷漿料。
二：流延，將陶瓷漿料通過流延機(jī)的澆注口，使其涂布在繞行的PET膜上，從而形成一層均勻的漿料薄層，再通過熱風(fēng)區(qū)（將漿料中絕大部分溶劑揮發(fā)），經(jīng)干燥后可得到陶瓷膜片，一般膜片的厚度在10um-30um之間。
三：印刷，按照工藝要求，通過絲網(wǎng)印版將內(nèi)電極漿料印刷到陶瓷膜片上。
四：疊層，把印刷有內(nèi)電極的陶瓷膜片按設(shè)計的錯位要求，疊壓在一起，使之形成MLCC的巴塊（Bar）。
五：制蓋，制作電容器的上下保護(hù)片。疊層時，底和頂面加上陶瓷保護(hù)片，以增加機(jī)械強(qiáng)度和提高絕緣性能。
六：層壓，疊層好的巴塊（Bar），用層壓袋將巴塊（Bar）裝好，抽真空包封后，用等靜壓方式加壓使巴塊（Bar）中的層與層之間結(jié)合更加緊密，嚴(yán)實(shí)。
七：切割，層壓好的巴塊（Bar）切割成獨(dú)立的電容器生坯。
八：排膠，將電容器生坯放置在承燒板上，按一定的溫度曲線（最高溫度一般在400度℃左右），經(jīng)高溫烘烤，去除芯片中的粘合劑等有機(jī)物質(zhì)。排膠作用：1）排除芯片中的粘合劑有機(jī)物質(zhì)，以避免燒成時有機(jī)物質(zhì)的快速揮發(fā)造成產(chǎn)品分層與開裂，以保證燒出具有所需形狀的完好的瓷件。2）消除粘合劑在燒成時的還原作用。
九：燒結(jié)，排膠完成的芯片進(jìn)行高溫處理，一般燒結(jié)溫度在1140℃~1340℃之間，使其成為具有高機(jī)械強(qiáng)度，優(yōu)良的電氣性能的陶瓷體的工藝過程。
十：倒角，燒結(jié)成瓷的電容器與水和磨介裝在倒角罐，通過球磨、行星磨等方式運(yùn)動，使之形成光潔的表面，以保證產(chǎn)品的內(nèi)電極充分暴露，保證內(nèi)外電極的連接。
十一：端接，將端漿涂覆在經(jīng)倒角處理的芯片外露內(nèi)部電極的兩端上，將同側(cè)內(nèi)部電極連接起來，形成外部電極。
十二：燒端，端接后產(chǎn)品經(jīng)過低溫?zé)Y(jié)后才能確保內(nèi)外電極的連接。并使端頭與瓷體具有一定的結(jié)合強(qiáng)度。
十三：端頭處理，表面處理過程是一種電沉積過程，它是指電解液中的金屬離子（或絡(luò)合離子）在直流電作用下，在陰極表面還原成金屬（或合金）的過程。電容一般是在端頭（Ag端頭或Cu端頭）上鍍一層鎳后，再鍍層錫。
十四：外觀挑選，借助放大鏡或顯微鏡將具有表面缺陷的產(chǎn)品挑選出來。
十五：測試，對電容產(chǎn)品電性能方面進(jìn)行選別：容量、損耗、絕緣、電阻、耐壓進(jìn)行100%測量分檔，把不良品剔除。
十六：編帶，將電容按照尺寸大小及數(shù)量要求包裝在紙帶或塑料袋內(nèi)。
由于獨(dú)石電容容量大，適于低頻。獨(dú)石電容的容量穩(wěn)定，能保證振蕩頻率穩(wěn)定，振蕩頻率漂移小。特點(diǎn)：溫度范圍寬；體積小不占空間；電容量范圍寬；額定電壓高；介質(zhì)損耗。桓哳l特性好；已被廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品中。
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編輯：admin 最后修改時間：2018-02-26
