華邦NAND flash －三種架構(gòu)解決方案
NAND Flash解決方案架構(gòu)主流分為：raw NAND、ClearNAND和eMMC三種，各有不同的架構(gòu)、界面和終端應(yīng)用。生產(chǎn)廠商將會(huì)視不同客戶(hù)和不同產(chǎn)品應(yīng)用的需求，而靈活運(yùn)用raw NAND、ClearNAND和eMMC 這3種NAND Flash解決方案。
raw NAND
raw NAND即是一般的NAND Flash內(nèi)存芯片，所有的ECC除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code)、區(qū)塊管理(Block Management)、平均抹寫(xiě)儲(chǔ)存區(qū)塊技術(shù)(Wear Leveling)、Command Management、驅(qū)動(dòng)程序等，都交給Host Processor處理，NAND Flash芯片就是一般儲(chǔ)存的功能。raw NAND采用ONFI接口。
ClearNAND
新產(chǎn)品ClearNAND除了有NAND Flash芯片和控制芯片之外，將把ECC技術(shù)整合在NAND Flash封裝內(nèi)，易于客戶(hù)將NAND Flash應(yīng)用到終端產(chǎn)品上。ClearNAND跟raw NAND一樣采用ONFI接口。
eMMC
eMMC是內(nèi)嵌式內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，由eMMC 4.3世代發(fā)展到eMMC4.4世代，未來(lái)將朝eMMC4.5世代邁進(jìn)，eMMC下一個(gè)世代將會(huì)由三星主導(dǎo)的UFS(Universal Flash Storage)標(biāo)準(zhǔn)來(lái)接棒。
eMMC是將NAND Flash芯片和控制芯片都封裝在一起，將ECC除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code)、區(qū)塊管理(Block Management)、平均抹寫(xiě)儲(chǔ)存區(qū)塊技術(shù)(Wear Leveling)、Command Management等技術(shù)都包裹在NAND Flash芯片上。主要用于手機(jī)內(nèi)建存儲(chǔ)。
優(yōu)勢(shì)在于每1次NAND Flash制程技術(shù)改朝換代像是從70奈米制程轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程等，一般手機(jī)客戶(hù)也都要重新設(shè)計(jì)內(nèi)存程序，加上每家NAND Flash供貨商的芯片規(guī)格都不一樣，eMMC的目的就是簡(jiǎn)化手機(jī)廠的設(shè)計(jì)步驟，加速新手機(jī)的問(wèn)世。eMMC是采外接式記憶卡MMC標(biāo)準(zhǔn)。
編輯：simon 最后修改時(shí)間：2019-07-09
