鎂光推出首款16Gb LPDDR4X - 使用1z nm技術
美光推出業(yè)界首款使用1z nm技術，容量高達 16Gb的 LPDDR4X。同時提供基于UFS多芯片封裝的uMCP4，功耗更低能有效延長電池壽命，有更小的尺寸能夠應用于更薄的外形設計。
美光的1z nm LPDDR4X產(chǎn)品擁有業(yè)界最低的功耗，同時提供高達4266 Mbps速度。與上一代產(chǎn)品相比，功耗降低了10％。作為業(yè)界目前可用的最高容量單片16Gb LPDDR4X芯片（可在單個封裝中堆疊多達8個芯片），LPDDR4X可在不增加前幾代LPDDR4封裝尺寸的情況下使容量翻倍。
美光表示，采用分立設計和低功耗多芯片封裝，使得存儲器在相同的占位面積內(nèi)提供更高的密度，以滿足更廣泛的智能手機用戶群！靶碌16Gb LPDDR4X旨在滿足當今數(shù)據(jù)日益增長的應用需求，同時對未來邊緣計算、人工智能以及高帶寬的5G應用方面也能夠提供很好的體驗”。
Micron LPDDR4X存儲解決方案現(xiàn)已批量供貨，若基于UFS的多芯片封裝（uMCP4），可提供從3GB+64GB到8GB+256GB范圍的八種不同配置。多芯片封裝的uMCP4解決了中端到高端市場中移動設備不斷增長的存儲需求，而這些移動設備尋求與旗艦智能手機類似的性能。
Micron uMCP是結合了LPDDR、NAND Flash和控制器芯片，比移動解決方案（PoP +分立式NAND）占用的空間減少了40%，減少了存儲芯片占用并實現(xiàn)了更靈活的系統(tǒng)設計。美光MCP使用先進的封裝技術將LPDDR堆疊在NAND之上，再加上UFS控制芯片，從而實現(xiàn)適合小型智能手機設計的高密度、低功耗存儲解決方案。
編輯：admin 最后修改時間：2019-08-16
