鎂光推出首款16Gb LPDDR4X - 使用1z nm技術(shù)
美光推出業(yè)界首款使用1z nm技術(shù)，容量高達(dá) 16Gb的 LPDDR4X。同時(shí)提供基于UFS多芯片封裝的uMCP4，功耗更低能有效延長(zhǎng)電池壽命，有更小的尺寸能夠應(yīng)用于更薄的外形設(shè)計(jì)。
美光的1z nm LPDDR4X產(chǎn)品擁有業(yè)界最低的功耗，同時(shí)提供高達(dá)4266 Mbps速度。與上一代產(chǎn)品相比，功耗降低了10％。作為業(yè)界目前可用的最高容量單片16Gb LPDDR4X芯片（可在單個(gè)封裝中堆疊多達(dá)8個(gè)芯片），LPDDR4X可在不增加前幾代LPDDR4封裝尺寸的情況下使容量翻倍。
美光表示，采用分立設(shè)計(jì)和低功耗多芯片封裝，使得存儲(chǔ)器在相同的占位面積內(nèi)提供更高的密度，以滿足更廣泛的智能手機(jī)用戶群！靶碌16Gb LPDDR4X旨在滿足當(dāng)今數(shù)據(jù)日益增長(zhǎng)的應(yīng)用需求，同時(shí)對(duì)未來(lái)邊緣計(jì)算、人工智能以及高帶寬的5G應(yīng)用方面也能夠提供很好的體驗(yàn)”。
Micron LPDDR4X存儲(chǔ)解決方案現(xiàn)已批量供貨，若基于UFS的多芯片封裝（uMCP4），可提供從3GB+64GB到8GB+256GB范圍的八種不同配置。多芯片封裝的uMCP4解決了中端到高端市場(chǎng)中移動(dòng)設(shè)備不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求，而這些移動(dòng)設(shè)備尋求與旗艦智能手機(jī)類似的性能。
Micron uMCP是結(jié)合了LPDDR、NAND Flash和控制器芯片，比移動(dòng)解決方案（PoP +分立式NAND）占用的空間減少了40%，減少了存儲(chǔ)芯片占用并實(shí)現(xiàn)了更靈活的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。美光MCP使用先進(jìn)的封裝技術(shù)將LPDDR堆疊在NAND之上，再加上UFS控制芯片，從而實(shí)現(xiàn)適合小型智能手機(jī)設(shè)計(jì)的高密度、低功耗存儲(chǔ)解決方案。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-08-16
