Micron代理商：美光DRAM路線圖走勢(shì)分析
美光半導(dǎo)體在本周早些時(shí)候與投資者和金融分析師召開(kāi)的業(yè)績(jī)電話會(huì)議上，表達(dá)了對(duì)其長(zhǎng)期前景的信心，并表示隨著未來(lái)幾年各領(lǐng)域新應(yīng)用的涌現(xiàn)，對(duì)其產(chǎn)品的需求強(qiáng)勁。該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能和迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)的計(jì)劃。
美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示:“我們相信，受人工智能、自動(dòng)駕駛汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng)等廣泛長(zhǎng)期趨勢(shì)的推動(dòng)，內(nèi)存和存儲(chǔ)的長(zhǎng)期需求前景是不可抗拒的！薄靶旅拦鈶{借創(chuàng)新的產(chǎn)品、反應(yīng)性供應(yīng)鏈以及與全球客戶建立的良好關(guān)系，很好地利用了這些趨勢(shì)！
由于供過(guò)于求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌。為了降低成本，并為內(nèi)存所需要的新應(yīng)用程序做好準(zhǔn)備，DRAM制造商正在積極轉(zhuǎn)向更新的工藝技術(shù)。盡管他們承認(rèn)需要平衡DRAM的供需，但實(shí)際上他們?yōu)閿U(kuò)大生產(chǎn)能力制定了積極的計(jì)劃，因?yàn)樗麄冃枰獮榧磳⒌絹?lái)的制造技術(shù)提供更干凈的空間。
在制造過(guò)程中，美光有一個(gè)積極的路線圖，包括四個(gè)以上的10個(gè)nm級(jí)節(jié)點(diǎn)。該公司正在研究最終過(guò)渡到極端紫外光刻(EUVL)。盡管如此，該公司也在擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，為下一代應(yīng)用程序生產(chǎn)下一代內(nèi)存。該公司目前正在利用其最新工藝技術(shù)的成果，為客戶端系統(tǒng)準(zhǔn)備32 GB內(nèi)存模塊，為服務(wù)器準(zhǔn)備64 GB調(diào)光器。
32 GB和64 GB內(nèi)存模塊
本月早些時(shí)候，我們討論了美光的16gb DDR4內(nèi)存芯片，該芯片使用該公司第二代10 nm級(jí)制造工藝(也稱為1Y nm)生產(chǎn)。這些DRAM設(shè)備已經(jīng)在用于ADATA和Crucial的客戶端系統(tǒng)的32 GB DDR4無(wú)緩沖DIMM原型中找到。內(nèi)存模塊將在不久的將來(lái)上市，不過(guò)目前還沒(méi)有具體的上市日期。
除了32 GB的UDIMMs客戶端系統(tǒng)，美光還準(zhǔn)備基于新的16 GB芯片的服務(wù)器級(jí)64 GB注冊(cè)DIMM。對(duì)于服務(wù)器，使用基于16gb DRAM設(shè)備的64gb DRAM設(shè)備(使用先進(jìn)的處理技術(shù)生產(chǎn))意味著功耗的降低，考慮到現(xiàn)代機(jī)器使用大量?jī)?nèi)存，這一點(diǎn)應(yīng)該很重要。這些模塊的樣品已經(jīng)提供給客戶進(jìn)行鑒定，但還不完全清楚它們什么時(shí)候開(kāi)始發(fā)貨。
請(qǐng)記住，32 GB UDIMMs和64 GB RDIMMs(基于16 GB dram)是相當(dāng)高的速率，美光的Crucial顯然能夠充分利用半獨(dú)占產(chǎn)品。。
日本和臺(tái)灣的新產(chǎn)能
今年4月，為了應(yīng)對(duì)DRAM和新工藝技術(shù)需求的增長(zhǎng)，美光存儲(chǔ)臺(tái)灣公司(前身為Rexchip半導(dǎo)體)在臺(tái)灣臺(tái)中附近的園區(qū)破土動(dòng)工，建造了新的無(wú)塵室。
臺(tái)灣美光記憶體已經(jīng)100%使用美光第一代10nm級(jí)制造技術(shù)(也稱為1X nm)生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，并將在不久的將來(lái)直接進(jìn)入第3代10nm級(jí)工藝(也稱為1Z nm)。與此同時(shí)，美光去年在臺(tái)中附近開(kāi)設(shè)了一家新的測(cè)試和包裝工廠，創(chuàng)建了全球唯一的垂直集成DRAM生產(chǎn)工廠之一。
此外，美光還宣布，計(jì)劃斥資20億美元在日本廣島附近的校園新建一間潔凈室。據(jù)報(bào)道，新的生產(chǎn)能力將用于制造采用美光13納米工藝技術(shù)的DRAM。
激進(jìn)的路線圖
隨著越來(lái)越難以擴(kuò)展新的制造技術(shù)（無(wú)論是在工程方面還是在財(cái)務(wù)挑戰(zhàn)方面），與所有DRAM制造商一樣，美光將擁有多個(gè)10納米級(jí)節(jié)點(diǎn)。除了今天使用的第一代和第二代10納米級(jí)的工藝技術(shù)，鑒于現(xiàn)在面臨不同的發(fā)展階段，美光計(jì)劃引入至少四個(gè)以上為10nm級(jí)的制造工藝：1Z，1 α，1 β和1 γ （希臘γ，不是y）。
TechInsights的分析師表示，美光已經(jīng)悄然開(kāi)始使用其1Xnm工藝技術(shù)的die微縮版本的1Xs，這意味著美光10nm級(jí)的制造工藝的總數(shù)將超過(guò)6種。美光本身沒(méi)有證實(shí)這一點(diǎn)，但它表示，它在所有的生產(chǎn)設(shè)施中都有研發(fā)人員，以確保最高產(chǎn)量(和其他屬性)，這可能意味著不同晶圓廠可能存在相同節(jié)點(diǎn)的變化。
目前，美光公司正在加大其用于制造各種產(chǎn)品的第二代10nm級(jí)制造工藝（即1Y nm），該工藝用于制造該公司的各種產(chǎn)品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲(chǔ)器件。
該公司的下一代1Z nm目前已獲得美光客戶的認(rèn)可（他們正在測(cè)試使用該工藝生產(chǎn)的各種芯片），預(yù)計(jì)將在近期宣布，并且有望在自9月開(kāi)始的美光的2020財(cái)年實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。該技術(shù)將用于生產(chǎn)16 Gb LPDDR5存儲(chǔ)器件以及DDR5存儲(chǔ)器件（根據(jù)TechInsights）。
1 z nm節(jié)點(diǎn)后，美光計(jì)劃開(kāi)始使用其1αnm制造技術(shù)，目前正在調(diào)整更高的收益，這意味著它是在它的后面的發(fā)展階段。接著是美光的1βnm制造工藝，這是在早期發(fā)展階段的。與此同時(shí)，該公司的工程師正在為其1γnm技術(shù)的可行架構(gòu)尋找路徑。
到目前為止，該公司公布的所有10nm級(jí)節(jié)點(diǎn)都依賴于雙重、三重或四重 patterning的深紫外光刻技術(shù)(DUVL)。美光相信，目前正在開(kāi)發(fā)的所有10nm級(jí)工藝--1Z，1α，1β和1γnm - 在未來(lái)幾年內(nèi)具有成本效益和技術(shù)可行性。與此同時(shí)，請(qǐng)記住，多制版需要更多的工藝步驟，這使得生產(chǎn)周期更長(zhǎng)，因此需要更多的光刻工具和潔凈室空間來(lái)維持現(xiàn)有的產(chǎn)量(即，每月晶圓啟動(dòng))。
按照目前每12個(gè)月一個(gè)新節(jié)點(diǎn)的速度，如果一切按計(jì)劃進(jìn)行，Micron的多 patterning.技術(shù)路線圖將至少擴(kuò)展到2023年(我在這里猜測(cè)!)請(qǐng)記住，每一項(xiàng)新的工藝技術(shù)都至少要使用三到四年，可以有把握地說(shuō)，美光計(jì)劃在未來(lái)許多年里使用多模式DUV技術(shù)。
與此同時(shí)，該公司承認(rèn)，有嚴(yán)格的物理和成本挑戰(zhàn)超出1βnm進(jìn)程，浸沒(méi)式光刻四重 patterning.也面臨其在1 nm加工技術(shù)中的物理和經(jīng)濟(jì)限制。盡管如此，這個(gè)節(jié)點(diǎn)將給市場(chǎng)帶來(lái)什么仍有待觀察。
Micron and EUV 美光和EUV
美光并沒(méi)有說(shuō)是否會(huì)在1γ nm工藝后直奔EUV 。該公司正在評(píng)估ASML的Twinscan NXE步進(jìn)掃描功能以及使用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)所需的其他設(shè)備，并正在評(píng)估這些工具何時(shí)可用于制造DRAM。
EUV不僅對(duì)邏輯有挑戰(zhàn)，而且在均勻性和成本方面也對(duì)DRAM制造提出了挑戰(zhàn)。Micron認(rèn)為，目前EUV工具只有在發(fā)出高劑量的EUV輻射（在單一 patterning化的情況下）時(shí)才能保證可接受的均勻性，這會(huì)將晶圓成本增加到不可接受的水平。因此，美光公司沒(méi)有立即使用EUV的計(jì)劃，但它正密切關(guān)注其演變和發(fā)展。
DRAM制造商采用EUVL工具很可能與邏輯生產(chǎn)商（臺(tái)積電，三星代工（邏輯芯片的合約制造商，而不是DRAM制造商）的采用類似）：最初的EUV設(shè)備將僅用于幾層，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的增加，層數(shù)逐漸增加。ASML估計(jì)，對(duì)于DRAM，一個(gè)EUV層每月需要每100，000個(gè)晶圓啟動(dòng)1.5到2個(gè)EUV系統(tǒng)，因此，考慮到存儲(chǔ)設(shè)備的容量，內(nèi)存制造商將需要許多機(jī)器。
有必要指出，晶圓廠必須為EUV設(shè)備做好準(zhǔn)備，因?yàn)檫@些步進(jìn)掃描系統(tǒng)的物理尺寸大于DUV工具。這就是為什么SK海力士正在京畿道利川附近建立一個(gè)獨(dú)立的工廠（稱為M16），這就是為EUV準(zhǔn)備的。我們不知道美光的新潔凈室是否可以用于下一代光刻設(shè)備。
美光的一些想法
就在幾年前，美光在加工技術(shù)方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。今天，該公司仍然落后于三星，但似乎已經(jīng)能夠超越SK海力士；谄湫碌穆肪圖，該公司仍然積極推出基于DUV的節(jié)點(diǎn)，因此它將向感興趣的各方提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的DDR和LPDDR設(shè)備。此外，DDR5的開(kāi)發(fā)似乎在技術(shù)和制造過(guò)程方面都在走上正軌。
美光還在擴(kuò)大其DRAM生產(chǎn)能力（下一代工藝和下一代存儲(chǔ)器所需），因此假設(shè)其產(chǎn)品足夠好，它將能夠保持其市場(chǎng)份額。了解美光之后，我們知道美光更感興趣的是利潤(rùn)豐厚的專業(yè)/顛覆性解決方案，而不是DRAM產(chǎn)品本身。
看起來(lái)有點(diǎn)令人不安的是，美光似乎對(duì)EUV光刻過(guò)于謹(jǐn)慎。根據(jù)最近的評(píng)論，該公司只是在評(píng)估技術(shù)，但(據(jù)我們所知)沒(méi)有投資為EUV準(zhǔn)備的潔凈室。極紫外光刻并不是一個(gè)短期或中期的問(wèn)題，但是看到美光如此害羞地談?wù)撍悬c(diǎn)奇怪。
總體而言，美光對(duì)DRAM市場(chǎng)的前景以及未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)地位持樂(lè)觀態(tài)度，預(yù)計(jì)各種新興應(yīng)用（自動(dòng)駕駛汽車，AI / ML，物聯(lián)網(wǎng)等）將被廣泛采用。如果需要以上探討到的美光產(chǎn)品，請(qǐng)聯(lián)系美光代理商（深圳市穎特新科技有限公司），0755-82591179
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-08-30
