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【參考設(shè)計方案】電容式觸控智能溫控器

關(guān)鍵字:ML56 智能溫控器 LCD可顯 作者: 來源: 發(fā)布時間:2021-12-28  瀏覽:13


【參考設(shè)計方案】

電容式觸控智能溫控器


方案介紹

整合電容式觸控感測器與 LCD 驅(qū)動功能的單芯片解決方案,NuMicro ML56 系列有豐富的外設(shè)來實現(xiàn)此電容式觸控型溫控器,此參考設(shè)計可提供環(huán)境溫度感測、觸控控制與 LCD 可顯示溫度與時間信息。


方案特色

  • 支持 9 公分 x 6 公分 HTN LCD

  • 支持 13 個電容式觸控傳感器

  • 提供一圖形接口的調(diào)適工具來配置電容式觸控傳感器參數(shù)與調(diào)校靈敏度


圖片


ML56 系列優(yōu)勢

  • 支持掉電模式可透過 Touch key 喚醒功能

  • 芯片出廠一致性高, 校準之 Touch key 參數(shù)可復(fù)用至同類型板子節(jié)省開發(fā)時間

  • LCD 內(nèi)建 charge pump 功能不隨電池掉電而有閃屏現(xiàn)象發(fā)生,電壓范圍 2.8V 至 5.4V

  • LCD 內(nèi)建 OP buffer 驅(qū)動力強 可推 10x10 cm 的屏、不會因電壓過低而有對比度不鮮明的情況發(fā)生

  • 支持最多 8 COM 口,節(jié)省 I/O Pin 腳


ML56 系列特色

系統(tǒng)

  • 1T 8051

  • 工作主頻可達 24 MHz

  • 操作電壓1.8V至3.6V ,I/O支持5V tolerance

  • 64 KB Flash

  • 4 KB SRAM

  • 128 字節(jié) SPROM 儲存機密程序代碼

  • 高抗干擾能力 (EFT 4.4 kV, ESD HBM 7 kV)

  • HIRC 精度全溫全壓 ±4%

模擬

  • 多達 14 路 12 位 ADC 支持連續(xù)采樣模式  (硬件自動搬運采集數(shù)據(jù)至 SRAM)

  • 內(nèi)建兩組ACMP

  • 內(nèi)建五階參考電壓

  • ADC 內(nèi)建 band-gap,全溫全壓下可反推電源電壓(±1 %)

  • 內(nèi)建高達8COMx28SEG LCD驅(qū)動 并支持charge pump、內(nèi)部電阻分壓

  • 高達14個電容式觸控通道,通過IEC-6100-4 10V動態(tài)電流測試

  • 提供開發(fā)以及量產(chǎn)工具幫助客戶節(jié)省生產(chǎn)的流程與時間

周邊

  • 多達 4 組 UART 可連接多種傳感器

  • 12 路 PWM 支持 16 位高分辨率并提供互補輸出與死區(qū)控制

  • PWM 提供高達 4 種 timer 可獨立設(shè)置不同頻率

  • GPIO 提供強驅(qū)動電流能力 (24 mA)

  • 具備 RTC 可實現(xiàn)萬年歷功能


【參考設(shè)計方案】

電容式觸控智能溫控器


方案介紹

整合電容式觸控感測器與 LCD 驅(qū)動功能的單芯片解決方案,NuMicro ML56 系列有豐富的外設(shè)來實現(xiàn)此電容式觸控型溫控器,此參考設(shè)計可提供環(huán)境溫度感測、觸控控制與 LCD 可顯示溫度與時間信息。


方案特色

  • 支持 9 公分 x 6 公分 HTN LCD

  • 支持 13 個電容式觸控傳感器

  • 提供一圖形接口的調(diào)適工具來配置電容式觸控傳感器參數(shù)與調(diào)校靈敏度


圖片


ML56 系列優(yōu)勢

  • 支持掉電模式可透過 Touch key 喚醒功能

  • 芯片出廠一致性高, 校準之 Touch key 參數(shù)可復(fù)用至同類型板子節(jié)省開發(fā)時間

  • LCD 內(nèi)建 charge pump 功能不隨電池掉電而有閃屏現(xiàn)象發(fā)生,電壓范圍 2.8V 至 5.4V

  • LCD 內(nèi)建 OP buffer 驅(qū)動力強 可推 10x10 cm 的屏、不會因電壓過低而有對比度不鮮明的情況發(fā)生

  • 支持最多 8 COM 口,節(jié)省 I/O Pin 腳


ML56 系列特色

系統(tǒng)

  • 1T 8051

  • 工作主頻可達 24 MHz

  • 操作電壓1.8V至3.6V ,I/O支持5V tolerance

  • 64 KB Flash

  • 4 KB SRAM

  • 128 字節(jié) SPROM 儲存機密程序代碼

  • 高抗干擾能力 (EFT 4.4 kV, ESD HBM 7 kV)

  • HIRC 精度全溫全壓 ±4%

模擬

  • 多達 14 路 12 位 ADC 支持連續(xù)采樣模式  (硬件自動搬運采集數(shù)據(jù)至 SRAM)

  • 內(nèi)建兩組ACMP

  • 內(nèi)建五階參考電壓

  • ADC 內(nèi)建 band-gap,全溫全壓下可反推電源電壓(±1 %)

  • 內(nèi)建高達8COMx28SEG LCD驅(qū)動 并支持charge pump、內(nèi)部電阻分壓

  • 高達14個電容式觸控通道,通過IEC-6100-4 10V動態(tài)電流測試

  • 提供開發(fā)以及量產(chǎn)工具幫助客戶節(jié)省生產(chǎn)的流程與時間

周邊

  • 多達 4 組 UART 可連接多種傳感器

  • 12 路 PWM 支持 16 位高分辨率并提供互補輸出與死區(qū)控制

  • PWM 提供高達 4 種 timer 可獨立設(shè)置不同頻率

  • GPIO 提供強驅(qū)動電流能力 (24 mA)

  • 具備 RTC 可實現(xiàn)萬年歷功能


編輯:zzy  最后修改時間:2021-12-28

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