意法半導體快速恢復的超結MOSFET為電橋和ZVS轉換器帶來卓越性能
中國，2019年1月22日 - 意法半導體的MDmesh DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復體二極管，將該公司最新的超結(super-junction)技術的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(ZVS)相移轉換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應用和拓撲結構里。 MDmesh DM6 MOSFET利用意法半導體先進的載流子壽命控制技術減少反向恢復時間(trr)，最大限度地降低續(xù)流后關斷期間二極管的耗散功率。優(yōu)化的恢復軟度增強了產品可靠性。此外，極低的柵極電荷(Qg)和導通電阻(RDS(ON))以及針對輕負載優(yōu)化的電容曲線，使應用能夠實現更高的工作頻率和更高的能效，簡化熱管理設計并降低EMI干擾。
這些新器件非常適用于電動汽車充電樁、電信設備或數據中心電源轉換器和太陽能逆變器等，更穩(wěn)定的性能和更高的功率密度讓應用設計的電能額定參數更加優(yōu)異。 MDmesh DM6系列屬于STPOWER產品組合，全系共有23款產品，額定輸出電流范圍15A至72A，柵極電荷(Qg) 20nC至117nC，RDS(ON)電阻0.240 ?至0.036 ?，采用主流的功率封裝，包括新的低電感無引線TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247，其中TO-247配備短引線、長引線或Kelvin引腳，適合有精密電流檢測需求的應用。 MDmesh DM6系列現已量產，若想了解價格和索取樣片，請聯系當地的意法半導體辦事處。 詳情訪問www.st.com/stpower。 
編輯：admin 最后修改時間：2019-01-23
