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意法半導體發(fā)布新抗輻射加固器件,提高航天應用能效

關鍵字:意法半導體 抗輻射加固器件 共陰極肖特基 作者: 來源: 發(fā)布時間:2020-06-12  瀏覽:20

中國,2020年5月14 日——為了進一步擴大航天級抗輻射加固功率器件的產品組合,意法半導體推出了新的已通過ESCC(歐洲航天元器件協(xié)調委員會)認證的200V和400V功率整流管,以及45V和150V抗SEB[1]效應的肖特基整流管。

意法半導體新抗輻射加固器件,提高航天應用能效

新推出的抗輻射加固肖特基二極管包括SEB耐量高達61MeV/cm2/mg LET (線性能量傳遞)的45V和150V產品,這兩款產品是業(yè)界首款額定SEB的肖特基二極管產品,適用于多種轉換器拓撲。150V和45V產品都可以直連100V和28V衛(wèi)星電源總線。在40A/125°C時,150V器件的正向電壓(VF)最大值為0.78V;45V器件的最大正向電壓(VF)為0.61V。

意法半導體總共推出了5款ESCC認證雙共陰極肖特基器件,其中,STPS40A45C是一個TO-254AA通孔封裝45V/2x20A二極管;STPS80A45C 45V/2x40A、STPS60A150C 150V/2x30A和STPS80A150C 150V/2x40A是SMD.5密封表面貼裝器件。STPS40A150C 150V/2x20A是TO254AA封裝。

新推出的整流二極管是TO-254AA封裝的STTH40200C 200V/2x20A雙二極管,以及SMD1密封貼裝的STTH60200C 200V/2x30A雙二極管和STTH60400 400V/60A單二極管。

意法半導體的新抗輻射整流管和肖特基二極管的表征測試證明,可耐受高達3 Mradf(硅)的電離總劑量(TID)輻射,保證壓降在四個工作電流值下不退化,因此,多個不同的電源設計可以共用一種器件,簡化應用設計。

這些產品在意法半導體法國雷恩工廠制造,采用與意法半導體AEC-Q101汽車級認證產品相同的平面制造工藝,產品質量出色、有保證。意法半導體雷恩工廠制造的航天器件取得了飛行40余年無失效的成就。

目前新產品大多數(shù)型號都有貨,詢價和申請樣品,請聯(lián)系當?shù)匾夥ò雽w銷售辦事處。

詳情訪問www.st.com/rad-hard-diodes-pr。


[1] SEB: 單粒子燒毀–重度電離輻射(例如:太空應用中的宇宙射線)導致的電子元器件毀壞。

編輯:admin  最后修改時間:2024-07-04

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