東芝NAND閃存：TC58BVG1S3HBAI4
TC58BVG1S3HBAI4
TC58BVG1S3HBA4是一個3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(2048+64)字節(jié)或64頁或2048塊。該設備具有2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器,其允許程序和讀取數據以2112字節(jié)增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳送,擦除操作在單個塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實現。
TC58BVG1S3HBa4是一種串行式存儲器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數據輸入/輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、用于靜態(tài)照相機的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數據存儲的系統。
TC58BVG1S3HBA4在芯片上有ECC邏輯，每個528字節(jié)的8位讀取錯誤可在內部進行校正
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
