東芝NAND閃存：TC58BYG2S0HBAI6
TC58BYG2S0HBAI6
TC58BYG2S0HBAI6是一個1.8V 4Gbit(4，429，185，024位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×64頁)。
TC58BYG2S0HBAI6是一種串行式存儲器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、用于靜態(tài)照相機的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。
TC58BYG2S0HBAI6芯片上有ECC邏輯，每528位字節(jié)的8位讀取錯誤可以內(nèi)部糾正。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
